近日，泰科天潤、積塔半導(dǎo)體以及北方華創(chuàng)在碳化硅相關(guān)技術(shù)研發(fā)上實現(xiàn)最新突破，相關(guān)專利陸續(xù)公布。

泰科天潤“一種分離平面柵低阻碳化硅VDMOS的制備方法”專利公布

天眼查顯示，泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司“一種分離平面柵低阻碳化硅VDMOS的制備方法”專利公布，申請公布日為2024年8月9日，申請公布號為CN118471811A。

本發(fā)明提供了一種分離平面柵低阻碳化硅VDMOS的制備方法，包括：在碳化硅襯底的一側(cè)面淀積金屬，形成漏極金屬層，在碳化硅襯底的另一側(cè)面淀積生長形成漂移層；在漂移層上方淀積阻擋層，刻蝕，離子注入形成低阻結(jié)構(gòu)層、阱區(qū)和源區(qū)；去除原阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕形成通孔，對通孔進行金屬淀積，形成源極金屬層；去除原阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕，淀積，形成柵介質(zhì)層；去除原阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕，金屬淀積，形成柵極金屬層，所述柵極金屬層位于低阻結(jié)構(gòu)層和源區(qū)之間的阱區(qū)上方；去除阻擋層，完成制造，降低了柵極控制反型區(qū)面積，進而降低了柵極電荷，降低了器件的驅(qū)動損耗。

積塔半導(dǎo)體“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布

天眼查顯示，上海積塔半導(dǎo)體有限公司“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布，申請公布日為2024年8月9日，申請公布號為CN118471899A。

本發(fā)明提供了一種基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法。本發(fā)明通過兩次多晶硅生長刻蝕工藝，使得所形成的柵氧化層以及柵極的膜層厚度滿足MOSFET器件的相應(yīng)工藝厚度要求的同時，所形成的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的頂面高于半導(dǎo)體襯底的表面，淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與柵氧化層相接觸，能夠避免在后續(xù)刻蝕第二多晶硅層過程中對淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)頂角區(qū)域處的柵氧化層的破壞，實現(xiàn)對淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)頂角區(qū)域處的柵氧化層的保護，增加淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)頂角區(qū)域處的柵氧化層工藝厚度，最終優(yōu)化TDDB的可靠性，使得MOSFET器件擁有更高的擊穿電壓以及更長的可靠性壽命。

北方華創(chuàng)“碳化硅晶體生長裝置”專利公布

天眼查顯示，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司“碳化硅晶體生長裝置”專利公布，申請公布日為2024年8月9日，申請公布號為CN118461121A。

本發(fā)明提供了一種碳化硅晶體生長裝置，涉及碳化硅單晶材料的制造技術(shù)領(lǐng)域，為解決坩堝內(nèi)的粉體溫度均勻性差的問題而設(shè)計。碳化硅晶體生長裝置包括坩堝、感應(yīng)線圈組件和蓋設(shè)于坩堝上方的蓋板，蓋板用于在蓋板的中心設(shè)置籽晶，坩堝內(nèi)設(shè)置有至少一個的感應(yīng)加熱件；感應(yīng)加熱件具有封閉連續(xù)的外周面，且能夠在感應(yīng)線圈組件的作用下產(chǎn)生感應(yīng)渦電流。本發(fā)明提供的碳化硅晶體生長裝置可以改善坩堝內(nèi)的粉體溫度均勻性。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)