據(jù)了解，2024年1月23日，華西公司三安半導(dǎo)體碳化硅襯底項目B1棟封頂。此項目總體分為兩個項目標(biāo)段，總面積約5.8萬㎡，合同工期僅為8個月，項目于2023年11月15日正式進場施工。在B1棟順利封頂后，該項目B2、B4、C1三棟也將在年前陸續(xù)封頂，項目整體將在2024年7月前實現(xiàn)全部交付，合同工期僅為8個月。

重慶三安半導(dǎo)體碳化硅襯底項目（生活服務(wù)設(shè)施區(qū)）總建筑面積：2.08萬㎡，建筑最高高度：26.20米，B1、B2棟6層框架結(jié)構(gòu)，B3棟為7層框架結(jié)構(gòu)，B4棟6層框剪結(jié)構(gòu)；安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅外延、芯片項目（生活服務(wù)設(shè)施區(qū)）總建筑面積：3.7萬㎡，建筑最高高度41.10米，A1、A2棟6層框架結(jié)構(gòu)，A3、A4棟12層框剪結(jié)構(gòu)，C1棟3層框架結(jié)構(gòu)。

據(jù)了解，該項目業(yè)主方為重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司和安意法半導(dǎo)體有限公司，這兩家公司均為湖南三安為推進與意法半導(dǎo)體的SiC合資項目而在2023年設(shè)立的子公司。

2023年6月，意法半導(dǎo)體宣布將與三安光電成立一家合資制造廠，進行8英寸SiC器件大規(guī)模量產(chǎn)。該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計約32億美元（約230億人民幣），占地462畝，總建筑面積26.5萬平方米，采取一次建設(shè)分期投產(chǎn)方式，規(guī)劃達產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸SiC車規(guī)級MOSFET功率芯片48萬片。項目在取得各項手續(xù)批復(fù)后開始建設(shè)，預(yù)計2025年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn)，2028年達產(chǎn)。

根據(jù)內(nèi)容，該合資廠將采用意法半導(dǎo)體SiC專利制造工藝技術(shù)，專注于為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)SiC器件。三安光電也披露，該工廠制造的SiC外延、芯片將獨家銷售給意法半導(dǎo)體或其指定的任何實體。

2023年7月，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司全資設(shè)立重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司，注冊資本18億人民幣。

2023年8月，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司和意法半導(dǎo)體（中國）投資有限公司共同出資成立安意法半導(dǎo)體有限公司，注冊資金6.12億美元，雙方持股比例分別為51%、49%。

同時為了滿足該合資廠的襯底需求，三安光電計劃利用自有SiC襯底工藝，單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠，規(guī)劃總投資70億人民幣，占地276畝，采取一次建設(shè)分期投產(chǎn)方式，規(guī)劃達產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸SiC襯底48萬片，合資公司將與湖南三安簽訂長期SiC襯底供應(yīng)協(xié)議。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)