近日，蘇州中科重儀半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“中科重儀”）自主研發(fā)的應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片生產(chǎn)線正式建成并投入使用。

據(jù)介紹，中科重儀生產(chǎn)的氮化鎵外延片，氮化鎵層厚度約5μm表面無裂紋，翹曲度小于100μm。HEMT結(jié)構(gòu)室溫下，方塊電阻為465Ω/sq，二維電子氣（2DEG）濃度約8×1013cm-2、2DEG遷移率大于2000 cm2/Vs，片內(nèi)與片間不均勻性小于1%，可以滿足電力電子領(lǐng)域功率器件開發(fā)與應(yīng)用需求。

中科重儀表示，其自主研發(fā)的電力電子方向硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)線具有氣源預(yù)處理功能，核心反應(yīng)腔內(nèi)對溫場、流場均勻性強化控制，加入應(yīng)力翹曲模型，更加適合大尺寸氮化鎵材料生長。同時自動化控制、監(jiān)測、分析平臺，可快速優(yōu)化外延片生長工藝，縮短工藝調(diào)整周期。經(jīng)過抗壓測試和材料生長結(jié)果表明，設(shè)備具有很好的穩(wěn)定性和工藝重復(fù)性。

2023年，中科重儀在蘇州吳江區(qū)建立了國內(nèi)首條采用國產(chǎn)化MOCVD設(shè)備生產(chǎn)的8英寸硅基氮化鎵外延產(chǎn)線，單條產(chǎn)線年產(chǎn)能達5000片。投入運營后，將實現(xiàn)氮化鎵材料綜合生產(chǎn)成本降低50%以上，為市場提供氮化鎵外延片產(chǎn)品，更好地助力電力電子器件實現(xiàn)高性能、高可靠性及低成本的生產(chǎn)目標(biāo)。

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