據(jù)吳江工信消息，11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用，將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地，同時(shí)開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究，提升氮化鎵材料與器件的整體競爭力。

消息稱，本次啟用的英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心建筑面積3.5萬平方米，將圍繞“新一代信息功能材料及功率器件”和“戰(zhàn)略型新興產(chǎn)業(yè)”需求，重點(diǎn)發(fā)展第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵材料及器件，致力于打造一個(gè)國際領(lǐng)先技術(shù)水平的技術(shù)及產(chǎn)品研發(fā)平臺(tái)，包括芯片設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室、氮化鎵外延材料實(shí)驗(yàn)室、芯片制造實(shí)驗(yàn)室、產(chǎn)品開發(fā)實(shí)驗(yàn)室、產(chǎn)品檢測及可靠性分析實(shí)驗(yàn)室等等。

同時(shí)，現(xiàn)場還舉行了英諾賽科8英寸硅基氮化鎵芯片生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目第二階段產(chǎn)能擴(kuò)展”項(xiàng)目（即三期銀團(tuán)）貸款簽約儀式。

據(jù)官網(wǎng)介紹，英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集芯片設(shè)計(jì)、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。

英諾賽科的主要產(chǎn)品涵蓋從低壓到高壓（30V-700V）的氮化鎵功率器件，產(chǎn)品設(shè)計(jì)及性能均達(dá)到國際先進(jìn)水平。英諾賽科已在激光雷達(dá)、數(shù)據(jù)中心、5G通訊、高密度高效快速充電、無線充電、車載充電器、LED 燈照明驅(qū)動(dòng)等方面發(fā)布產(chǎn)品方案，并與國內(nèi)多家應(yīng)用頭部企業(yè)開展深度合作，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

另據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023GaN功率半導(dǎo)體市場分析報(bào)告 - Part1》指出，按照2022年的營收來看，GaN功率器件前六大供應(yīng)商分別是PI、Navitas、英諾賽科、EPC公司、GaN Systems、Transphorm。

GaN功率元件市場的發(fā)展主要由消費(fèi)電子所驅(qū)動(dòng)，核心仍在于快速充電器，其他消費(fèi)電子場景還包括D類音頻、無線充電等。據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023 GaN功率半導(dǎo)體市場分析報(bào)告 - Part1》顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率高達(dá)65%。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)