11月4日，西北地區(qū)首條8英寸硅光中試線正式通線。

該平臺(tái)由陜西光電子先導(dǎo)院建設(shè)，此次通線不僅填補(bǔ)了區(qū)域硅光芯片中試領(lǐng)域空白，更成為陜西“追光計(jì)劃”實(shí)施以來的標(biāo)志性成果，將作為陜西打造千億級(jí)光子產(chǎn)業(yè)集群的核心支點(diǎn)，撬動(dòng)當(dāng)?shù)毓庾赢a(chǎn)業(yè)發(fā)展從藍(lán)圖邁向?qū)嵺`。

據(jù)了解，此次8英寸硅光平臺(tái)通線，將與西安科學(xué)園的先進(jìn)阿秒激光設(shè)施、光子傳感園的產(chǎn)業(yè)化載體形成聯(lián)動(dòng)，為“追光計(jì)劃”培育千億級(jí)集群提供從基礎(chǔ)研究、中試驗(yàn)證到量產(chǎn)落地的全鏈條支撐。

光電子先導(dǎo)院的8英寸硅光平臺(tái)總投資7.5億元，引進(jìn)了比利時(shí)IMEC“130nm硅光芯片工藝包”，并引入光刻、刻蝕等60余臺(tái)（套）關(guān)鍵核心設(shè)備，在130nm有源集成硅光主工藝平臺(tái)基礎(chǔ)上，能夠開發(fā)90nm以上先進(jìn)工藝。

“8 英寸硅光平臺(tái)的通線，徹底補(bǔ)全了陜西在硅光芯片中試領(lǐng)域的短板”。陜西光電子先導(dǎo)院總經(jīng)理?xiàng)钴娂t表示，作為陜西“追光計(jì)劃”的核心支撐平臺(tái)，光電子先導(dǎo)院已累計(jì)投入約15億元構(gòu)建“6英寸化合物芯片+8英寸硅光芯片”雙中試平臺(tái)。