外媒報(bào)道，新思科技（Synopsys）宣布旗下LPDDR6內(nèi)存接口IP已于臺(tái)積電N2P制程完成芯片上機(jī)測(cè)試（silicon bring-up），象征新一代低功耗行動(dòng)內(nèi)存技術(shù)邁入關(guān)鍵驗(yàn)證階段。

該設(shè)計(jì)在測(cè)試中實(shí)現(xiàn)86 GB/s帶寬，符合國(guó)際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)（JEDEC）最新LPDDR6規(guī)范，顯示此技術(shù)已能在先進(jìn)制程環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)作。

新思科技主要提供芯片設(shè)計(jì)所需的模擬、驗(yàn)證與授權(quán)模塊。 此次完成硅測(cè)的 LPDDR6 IP 包含控制器（controller）與物理層接口（PHY interface）兩部分。 控制器負(fù)責(zé)JEDEC協(xié)議與時(shí)序管理，而PHY則建構(gòu)于臺(tái)積電N2P的金屬堆棧與I/O庫(kù)之上，確保在高頻作下仍維持低功耗與訊號(hào)完整性。

所謂「silicon bring-up」，是指芯片設(shè)計(jì)在完成軟體模擬后，首次于實(shí)體晶圓上上電驗(yàn)證的階段。 這代表IP模組的電路架構(gòu)已經(jīng)進(jìn)入實(shí)體測(cè)試，但尚未整合至完整系統(tǒng)芯片中。 新思科技表示，此次驗(yàn)證結(jié)果顯示LPDDR6控制器與PHY在N2P制程上能達(dá)到預(yù)期性能，為后續(xù)客戶導(dǎo)入SoC設(shè)計(jì)奠定基礎(chǔ)。

目前市場(chǎng)主流仍以 LPDDR5/LPDDR5X 為主要規(guī)格，應(yīng)用于智能手機(jī)與筆電平臺(tái)。 這些內(nèi)存顆粒由三星、SK海力士、美光等廠商以自家制程生產(chǎn)，強(qiáng)調(diào)高速與低功耗。 LPDDR6 則是由國(guó)際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)JEDEC制定的新一代行動(dòng)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，傳輸速率最高可達(dá) 14.4Gb/s，能大幅提升 AI 手機(jī)與邊緣設(shè)備的數(shù)據(jù)處理效率。

根據(jù) Synopsys 說(shuō)法，該 LPDDR6 IP 可支持每腳位速率 10.667Gb/s，理論峰值可達(dá) 14.4Gb/s（約 115GB/s 帶寬），比 LPDDR5 世代提升超過(guò) 30%。 憑藉臺(tái)積電N2P制程的高密度與低功耗特性，新技術(shù)可望應(yīng)用于AI手機(jī)、邊緣運(yùn)算裝置與超輕量筆電，成為支撐裝置端AI（on-device AI）運(yùn)算的新基礎(chǔ)。

業(yè)界觀察指出，新思科技與臺(tái)積電在N2P節(jié)點(diǎn)上完成LPDDR6 IP驗(yàn)證，象征SoC廠商將能更快導(dǎo)入新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。 未來(lái)在系統(tǒng)接口兼容性與驗(yàn)證流程上，臺(tái)積電與 EDA 業(yè)者的主導(dǎo)力將明顯提升。 隨著SoC制程與控制IP若以臺(tái)積電為主流，存儲(chǔ)器廠必須確保自家LPDDR6顆粒能完全兼容，測(cè)試與認(rèn)證成本也將提高。

目前LPDDR6技術(shù)仍處于IP驗(yàn)證階段，預(yù)計(jì)2026年正式導(dǎo)入商用平臺(tái)。 隨著新思科技與臺(tái)積電持續(xù)擴(kuò)大先進(jìn)制程IP布局，行動(dòng)存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)正邁向10Gb/s時(shí)代，而晶圓代工與EDA生態(tài)在未來(lái)行動(dòng)運(yùn)算的影響力，將進(jìn)一步超越傳統(tǒng)存儲(chǔ)器廠，成為驅(qū)動(dòng)新世代AI平臺(tái)的關(guān)鍵力量。