2025年3月24日消息，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇第三代半導體研究院有限公司取得一項名為“一種前驅(qū)體封裝容器及氣相沉積系統(tǒng)”的專利，授權(quán)公告號 CN 222648108 U，申請日期為 2024年6月。

專利摘要顯示，本實用新型公開了一種前驅(qū)體封裝容器，包括：第一腔體，第二腔體，緩沖腔體，通斷控制組件和充抽組件。第一腔體用于容置液態(tài)前驅(qū)體和固態(tài)前驅(qū)體，第一腔體具有第一進氣管和第一排氣管，第一進氣管輸入的載氣攜帶液態(tài)前驅(qū)體后與固態(tài)前驅(qū)體的蒸氣混合并經(jīng)第一排氣管排出；第二腔體與第一腔體之間設置有第一擋板，第二腔體通過第一擋板向第一腔體補充液態(tài)前驅(qū)體該前驅(qū)體封裝容器通過緩沖腔體和第二腔體配合充抽組件能夠從外部向第一腔體補充液態(tài)前驅(qū)體，可以延長封裝容器的使用時限，保持容器內(nèi)部液態(tài)前驅(qū)體容量以為載氣提供足夠的接觸路徑，保證載氣所攜帶的前驅(qū)體濃度，為后續(xù)氣相沉積工藝提供穩(wěn)定的前驅(qū)體來源，保證沉積成膜質(zhì)量。

江蘇第三代半導體研究院有限公司于2019年7月26日在蘇州工業(yè)園區(qū)成立，是由江蘇省、蘇州市、蘇州工業(yè)園區(qū)與相關聯(lián)盟及核心運營團隊共建的新型研發(fā)機構(gòu)。2021年4月，科技部批準以其為主體建設“國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心”。公司聚焦第三代半導體關鍵共性技術研發(fā)，成果轉(zhuǎn)化，產(chǎn)品涵蓋半導體材料、器件等，還提供測試分析等服務 。