近日，格芯（GlobalFoundries）宣布已獲得美國提供的3500萬美元聯(lián)邦資金，以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工廠在硅半導(dǎo)體上制造差異化氮化鎵（GaN）芯片。

格芯佛蒙特州半導(dǎo)體制造工廠表示，繼續(xù)朝著大規(guī)模生產(chǎn)用于航空航天和國防、蜂窩通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和汽車的下一代氮化鎵芯片邁進。

格芯總裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化鎵是新興市場高性能射頻、高壓功率開關(guān)和控制應(yīng)用的理想技術(shù)，對于6G無線通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和電動汽車非常重要。”

格芯計劃購買更多設(shè)備來提升開發(fā)和原型設(shè)計能力，向大規(guī)模200mm硅基氮化鎵半導(dǎo)體制造邁進。作為投資的一部分，格芯計劃實施新的能力，以減少格芯及其客戶面臨鎵供應(yīng)鏈限制的風(fēng)險，同時提高美國制造氮化鎵芯片的開發(fā)速度、供應(yīng)保證和競爭力。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)