隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、智慧產(chǎn)業(yè)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲產(chǎn)業(yè)的重要性與日俱增。對于國產(chǎn)存儲廠商而言，如何處理好產(chǎn)業(yè)鏈上下游關系，產(chǎn)品如何擺脫外界固有的低端印象走向高端，并且如何突破國際巨頭壟斷，都是當前亟需考慮的問題。紙上談兵終覺淺，一貫堅持自主創(chuàng)“芯”的東芯半導體用7年實踐與經(jīng)驗，給我們交出了一份滿意答案。

在今年TrendForce集邦咨詢主辦的MTS2022存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上，東芯半導體時創(chuàng)意電子副總經(jīng)理陳磊作了“心無旁騖，走好本土存儲創(chuàng)‘芯’之路”主題演講，和會業(yè)界同探討了本土存儲廠商怎樣做好國產(chǎn)替代。

市場需求與技術創(chuàng)新相結合，逐步形成完善的供應鏈體系

2014年11月，東芯半導體在上海設立。陳磊介紹，東芯半導體自成立之初，就定下了自主設計這條路線，專注實現(xiàn)本土存儲的技術突破。

相比美國、韓國等起步較早的國家，雖然中國自主研發(fā)的能力相對不足，IDM銷售份額不足1%，但Fabless企業(yè)的銷售份額大，存在著較大競爭力。中國的自主創(chuàng)“芯”之路正在漸入佳境。

東芯半導體的自主創(chuàng)“芯”之路與市場需求緊密結合，通過一次次和國內的晶圓廠合作的機會，來自主設計出更切合本土需要的、性價比更高的產(chǎn)品，從而打造出一條本土化的供應鏈道路。其中，與主要合作客戶中芯國際和力晶積成電子的深化合作給東芯半導體的技術創(chuàng)新大大助力，峰會上，陳磊對此作了詳細介紹。

2019年，東芯半導體和力晶積成電子共同開發(fā)了一顆128Mb的NAND Flash，工藝是48nm。隨后，48nm成為東芯半導體追平世界最領先工藝NAND Flash的產(chǎn)品；在與力晶積成電子合作期間，東芯半導體引入了力晶積成電子28nm Flash工藝，成功推出一顆2Gb的產(chǎn)品；2020年，東芯半導體繼續(xù)與力晶積成電子合作產(chǎn)出28nm的產(chǎn)品。目前，力晶積成電子可以給客戶提供最大4Gb的Flash。

東芯半導體2016年通過與中芯國際合作，開發(fā)了一顆16Gb的MLC NAND Flash，這是國內第一顆MLC NAND Flash；2020年，東芯半導體在中芯國際24nm工藝上開發(fā)了一顆8GB并行接口的NAND Flash，這也成為了國內開發(fā)最大的一顆SLC NAND Flash。與此同時，東芯半導體設計和流片符合車規(guī)設計的并行接口的NAND Flash；今年9月，東芯半導體在中芯國際1xnm的工藝上成功制作出國內第一顆4Gb的SLC NAND Flash，這也是國際領先的SLC工藝。

不積跬步無以至千里，東芯半導體把握每一次合作機會自主創(chuàng)“芯”，通過與中芯國際、力晶積成電子等國內產(chǎn)業(yè)鏈公司進行戰(zhàn)略合作，逐步搭建了完善的供應鏈體系。

“東芯半導體致力于提升中國在存儲行業(yè)的設計研發(fā)能力，公司目前在NOR、DRAM和NAND方面都具備自主知識產(chǎn)權”，陳磊表示。據(jù)悉，截止至2021年11月1日，公司已擁有國內外發(fā)明專利82項。創(chuàng)立至今，東芯半導體實現(xiàn)了國產(chǎn)NAND Flash產(chǎn)品從無到有的突破，一舉成為領先的閃存設計公司。7年砥礪創(chuàng)新，產(chǎn)品實現(xiàn)NAND、NOR、DRAM全品類覆蓋。

抓住本土發(fā)展機遇，推動產(chǎn)業(yè)鏈條的縱深發(fā)展

伴隨著下游個人電腦、智能手機等電子消費產(chǎn)品市場的逐漸成熟，創(chuàng)新科技產(chǎn)品的出現(xiàn)給存儲行業(yè)帶來了新的發(fā)展契機。存儲廠商在此節(jié)點上如何做好國產(chǎn)替代？峰會上，陳磊對公司未來的發(fā)展方向和產(chǎn)品的發(fā)展提出設想。

目前，東芯半導體的產(chǎn)品在各個領域都有所布局，通過多年研發(fā)設計改進，其產(chǎn)品已實現(xiàn)了多樣化，應用場景已涉及工業(yè)控制、通訊網(wǎng)絡、消費電子、移動設備、物聯(lián)網(wǎng)等多個方面，在為用戶提供多樣化高品質存儲產(chǎn)品的同時，同時可幫助用戶實現(xiàn)了高品質的解決方案，滿足了不同場景對于低功率、高速率和超長使用壽命等各種需求。

結合本土市場發(fā)展趨勢，陳磊表示對于未來東芯半導體將會聚焦于以下幾個發(fā)展方向和應用。第一個是5G領域，包括5G宏基站、5G微基站，以及大容量的NAND、DRAM發(fā)展；第二個是汽車電子。隨著新能源以及人工智能駕駛甚至是無人駕駛的發(fā)展，汽車將對存儲器的發(fā)展提出了越來越高的要求。第三和第四個部分是可穿戴式設備和物聯(lián)網(wǎng)?？纱┐魇疆a(chǎn)品包括耳機、手環(huán)、手表等；而物聯(lián)網(wǎng)方面，工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)將會是一個非常穩(wěn)定的需求。

新興的應用需求也將對東芯半導體的存儲器產(chǎn)品提出更高的要求，對于如何響應這些需求，陳磊表示將會在工藝制程和產(chǎn)品的可靠性上再做提升。具體而言，將會在Nor、SLC NAND以及DRAM上深化。

東芯半導體的Nor都是低功耗設計，自明年起，東芯半導體就可以為客戶提供512MB和1GB的NOR Flash。“這塊的主要發(fā)力點還是基于車規(guī)級方面，我們已經(jīng)在和一些車廠進行技術對接，看看他們對車規(guī)級的NOR Flash有什么產(chǎn)品需求。”陳磊分享道。

第二部分則是SLC NAND。陳磊表示，目前SLC NAND的發(fā)展方向主要有三個，第一個是積極配合中芯國際在19nm上積極開發(fā)SLC NAND Flash，并希望在兩年內將這個調試成熟，從而為客戶帶來最具性價比的領先的SLC NAND。第二個則是車規(guī)級SLC NAND產(chǎn)品，公司希望明年可以正式為客戶提供ACQ100的SLC 芯片，包括并行接口、串行接口。此外，則是需要開發(fā)出一些高性能的NAND Flash，這部分主要是體現(xiàn)在串行接口的NAND Flash，以期在性能上實現(xiàn)翻倍。

而對于DRAM的產(chǎn)品，程磊補充說：“目前結合公司自主IP知識產(chǎn)權，包括DDR3和低功耗的DDR產(chǎn)品在內，我們下一步計劃是開發(fā)LPDDR4。預計明年可以引入一些物聯(lián)網(wǎng)客戶，屆時可以為他們提供小容量的LPDDR4x的產(chǎn)品。”

東芯半導體對于未來有著明晰的規(guī)劃。在今年12月10日，東芯半導體股份有限公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市，借助此次IPO，東芯半導體將進一步推動產(chǎn)業(yè)鏈條縱深發(fā)展。

矢志創(chuàng)“芯”是東芯半導體安身立命之本，也是我國芯片實現(xiàn)國產(chǎn)替代的關鍵。借助上市契機，未來東芯半導體將更進一步強化企業(yè)核心技術優(yōu)勢，拓展全球視野，全面提升公司的盈利能力和市場競爭力，為公司未來持續(xù)增長提供強大的新動力。

封面圖片來源：MTS2022存儲產(chǎn)業(yè)峰會