完成上市輔導(dǎo)后，日前，瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“瑞能半導(dǎo)體”）繼續(xù)推動(dòng)其IPO進(jìn)程。據(jù)上交所披露，8月18日，瑞能半導(dǎo)體的科創(chuàng)板上市申請(qǐng)獲受理，其IPO征途踏出重要一步。

資料顯示，瑞能半導(dǎo)體成立于2015年8月，主要從事功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是一家擁有芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝設(shè)計(jì)的一體化經(jīng)營(yíng)功率半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括晶閘管和功率二極管等，廣泛應(yīng)用于以家電為代表的消費(fèi)電子、以通信電源為代表的工業(yè)制造、新能源及汽車等領(lǐng)域。

業(yè)務(wù)承繼自恩智浦 晶閘管市占率位列前茅

根據(jù)招股書，2015年，南昌建恩、香港建恩、恩智浦共同出資設(shè)立瑞能半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“瑞能有限”），隨后瑞能有限歷經(jīng)了四次股權(quán)轉(zhuǎn)讓及一次增資，在這期間恩智浦退出了其股東陣營(yíng)。2019年6月，瑞能有限整體改制為股份有限公司。

截至招股書簽署日，瑞能半導(dǎo)體的前三大股東為南昌建恩、北京廣盟、天津瑞芯，持股比例分別為24.29%、24.29%、22.86%。建廣資產(chǎn)通過擔(dān)任上述三大股東的執(zhí)行事務(wù)合伙人能夠在瑞能半導(dǎo)體股東（大）會(huì)層面有權(quán)以私募基金名義行使71.44%的股東表決權(quán)，為瑞能半導(dǎo)體的間接控股股東。建廣資產(chǎn)無實(shí)際控制人，因此瑞能半導(dǎo)體無實(shí)際控制人。據(jù)了解，建廣資產(chǎn)是一家專注于集成電路產(chǎn)業(yè)與戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)投資并購(gòu)的基金管理公司。

招股書介紹稱，瑞能半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)承繼自恩智浦，恩智浦原雙極業(yè)務(wù)資產(chǎn)通過重大資產(chǎn)重組的方式進(jìn)入瑞能半導(dǎo)體主體內(nèi)。2015年9月，瑞能有限與恩智浦簽署業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)讓主協(xié)議及補(bǔ)充協(xié)議，約定由瑞能有限及其名下主體受讓恩智浦旗下的雙極業(yè)務(wù)資產(chǎn)，包括恩智浦持有的吉林瑞能的全部股權(quán)、雙極業(yè)務(wù)相關(guān)的存貨、固定資產(chǎn)、后端制造業(yè)務(wù)資產(chǎn)、知識(shí)產(chǎn)權(quán)等。

目前，瑞能半導(dǎo)體已在功率半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)占據(jù)一定的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)地位。招股書引用相關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)稱，2019年度瑞能半導(dǎo)體晶閘管產(chǎn)品的市場(chǎng)占有率，在國(guó)內(nèi)排名第一、全球排名第二。該公司提供的功率半導(dǎo)體器件組合已應(yīng)用至眾多全球知名客戶，包括惠而浦、伊萊克斯、惠普、海爾、美的、格力、臺(tái)達(dá)、ABB、施耐德、霍尼韋爾、通用電氣、海拉電子、特銳德、上能電氣、中恒電氣、博世等各領(lǐng)域企業(yè)。

技術(shù)方面，招股書介紹稱，瑞能半導(dǎo)體自主研發(fā)的晶閘管平面制造技術(shù)和功率快恢復(fù)二極管的先進(jìn)載流子壽命控制技術(shù)均處于行業(yè)內(nèi)優(yōu)勢(shì)地位；其掌握的碳化硅二極管產(chǎn)品設(shè)計(jì)技術(shù)對(duì)標(biāo)英飛凌和科銳等碳化硅領(lǐng)域國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)，生產(chǎn)工藝由4寸提升至6寸，可以應(yīng)用于新能源及汽車等領(lǐng)域，產(chǎn)品已被臺(tái)達(dá)、光寶、格力等知名企業(yè)驗(yàn)證使用。

2017年度、2018年度、2019年度、2020年1-3月，瑞能半導(dǎo)體的營(yíng)業(yè)收入分別為6.19億元、6.67億元、5.88億元、1.40億元；歸母凈利潤(rùn)分別為8775.98萬(wàn)元、9493.04萬(wàn)元、8610.88萬(wàn)元、1898.70萬(wàn)元；主營(yíng)業(yè)務(wù)的綜合毛利率分別為43.59%、42.30%、45.20%、40.80%；研發(fā)費(fèi)用占營(yíng)收的比例分別為3.96%、3.54%、5.47%、4.90%。

募資6.73億元  加碼MOSFET、IGBT/IPM、碳化硅等

根據(jù)招股書，瑞能半導(dǎo)體本次擬公開發(fā)行股數(shù)不超過3010萬(wàn)股，不低于本次發(fā)行后總股本的25%，擬募集資金6.73億元，將按輕重緩急投資于C-MOS/IGBT-IPM產(chǎn)品平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目、南昌實(shí)驗(yàn)室擴(kuò)容項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目、發(fā)展與科技儲(chǔ)備資金。

其中，C-MOS/IGBT-IPM產(chǎn)品平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目的募集資金使用金額為2.16億元，圍繞功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，規(guī)劃建設(shè)硅基MOSFET、IGBT/IPM功率器件產(chǎn)品平臺(tái)。瑞能半導(dǎo)體表示，本項(xiàng)目的實(shí)施將擴(kuò)充公司的產(chǎn)品種類，優(yōu)化公司的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，為公司盈利規(guī)模的持續(xù)擴(kuò)大提供增長(zhǎng)點(diǎn)，在提升公司經(jīng)濟(jì)效益的同時(shí)，提高了公司產(chǎn)品的綜合競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。

南昌實(shí)驗(yàn)室擴(kuò)容項(xiàng)目的募集資金使用金額為6310.81萬(wàn)元，將在公司現(xiàn)有南昌實(shí)驗(yàn)室的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)容建設(shè)，通過增加可靠性測(cè)試和失效性分析相關(guān)的檢測(cè)分析設(shè)備投入，優(yōu)化實(shí)驗(yàn)環(huán)境，提升測(cè)試與分析的能力和效率，從而進(jìn)一步保障產(chǎn)品質(zhì)量、吸引高端人才，促進(jìn)業(yè)務(wù)高質(zhì)量發(fā)展。

研發(fā)中心新建項(xiàng)目的募集資金使用金額為9313.51萬(wàn)元，將布局碳化硅功率器件等功率半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的新技術(shù)領(lǐng)域，通過引進(jìn)高技術(shù)人才、增加與外部機(jī)構(gòu)研發(fā)合作等方式，進(jìn)一步加強(qiáng)公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)及研發(fā)平臺(tái)的實(shí)力，以保持公司產(chǎn)品在核心技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)地位，為公司業(yè)務(wù)中長(zhǎng)期的可持續(xù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

發(fā)展與科技儲(chǔ)備資金的募集資金使用金額為3.00億元，將結(jié)合公司的經(jīng)營(yíng)需要和戰(zhàn)略規(guī)劃的資金需求，以提升公司的競(jìng)爭(zhēng)力，具體用途包括車用碳化硅模塊研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、IGBT模塊研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、新一代碳化硅器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目以及運(yùn)營(yíng)資金。

未來發(fā)展戰(zhàn)略方面，招股書指出，瑞能半導(dǎo)體將進(jìn)一步完善全系列晶閘管和功率二極管器件的研發(fā)，開展新一代碳化硅半導(dǎo)體芯片及器件的研發(fā)，積極推進(jìn)以MOSFET和IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)和生產(chǎn)。

對(duì)于本次首次公開發(fā)行并上市，瑞能半導(dǎo)體表示將為實(shí)現(xiàn)發(fā)展規(guī)劃和業(yè)務(wù)目標(biāo)提供有效的資金保障，保證公司對(duì)研發(fā)軟硬件、開發(fā)新產(chǎn)品及其應(yīng)用、提升技術(shù)實(shí)力、擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模、開拓市場(chǎng)、人才培養(yǎng)等各方面的投入等。

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