日前,武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)(以下簡稱“東湖高新區(qū)”)印發(fā)《關(guān)于促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》(以下簡稱“《若干政策》”)、《關(guān)于促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策實(shí)施細(xì)則》(以下簡稱“《實(shí)施細(xì)則》”),將通過政策實(shí)施推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
《若干政策》指出,為貫徹落實(shí)習(xí)近平總書記視察湖北重要指示和《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》精神,把東湖高新區(qū)建設(shè)成為全國重要的集成電路產(chǎn)業(yè)聚集區(qū),特制定該政策。根據(jù)《若干政策》制定的《實(shí)施細(xì)則》亦同步發(fā)布,對《若干政策》的支持領(lǐng)域和對象、重點(diǎn)支持方向、具體申報(bào)條件等作出詳細(xì)說明與相關(guān)規(guī)定。
根據(jù)《實(shí)施細(xì)則》,政策重點(diǎn)支持從事集成電路領(lǐng)域設(shè)計(jì)、制造、封裝、測試、模組、設(shè)備生產(chǎn)研發(fā)、EDA工具等集成電路相關(guān)企業(yè);重點(diǎn)支持方向包括:存儲器方向;5G及通信芯片、新型顯示芯片等光電子方向;物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興產(chǎn)業(yè)方向;微控制器(含RISC-V架構(gòu))、功率半導(dǎo)體等重點(diǎn)技術(shù)方向。
具體而言,《若干政策》提出對總部在東湖高新區(qū),首次成為全國設(shè)計(jì)十強(qiáng)、制造十強(qiáng)、封測十強(qiáng)、功率器件五強(qiáng)、MEMS五強(qiáng)、半導(dǎo)體設(shè)備五強(qiáng)的集成電路企業(yè),給予一次性1億元獎勵;對承擔(dān)國家重大科技專項(xiàng)的集成電路企業(yè),給予其所獲國家撥款額50%的配套資助,累計(jì)資助金額不超過1000萬元;對成功掛牌的國家級集成電路研發(fā)中心提供一次性啟動經(jīng)費(fèi)支持,最高不超過1000萬元。
此外,《若干政策》還提出對工程流片、購買IP、新建或技術(shù)改造項(xiàng)目、研發(fā)及生產(chǎn)用房、本地芯片或模組采購、公共平臺建設(shè)、人才等方面符合條件的企業(yè),均予以相應(yīng)的資金補(bǔ)貼。
其中,如對投資規(guī)模在5000萬元以上的集成電路企業(yè)的新建或技術(shù)改造項(xiàng)目,按照固定資產(chǎn)實(shí)際投入的10%給予補(bǔ)貼,同一企業(yè)補(bǔ)貼金額累計(jì)不超過3500萬元;對進(jìn)行工程產(chǎn)品流片的集成電路企業(yè),按照掩膜版制作費(fèi)用的50%或首輪流片費(fèi)用的30%給予補(bǔ)貼,同一企業(yè)補(bǔ)貼金額每年最高不超過500萬元等。
人才方面,《若干政策》提出對新招聘的集成電路相關(guān)專業(yè)的人才給予安家補(bǔ)助,補(bǔ)助標(biāo)準(zhǔn)為全日制碩士生每人3萬元,全日制博士生每人5萬元的獎勵,同一企業(yè)每年補(bǔ)貼金額最高不超過500萬元。
近年來,東湖高新區(qū)加快布局集成電路、新型顯示、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域,打造芯片、顯示、智能終端、物聯(lián)網(wǎng)全產(chǎn)業(yè)鏈,如今集成電路新政出臺,將進(jìn)一步推動該區(qū)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
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