2018年對(duì)英特爾來(lái)說(shuō)是艱難的一年，遭遇了X86漏洞、CEO被炒、14nm產(chǎn)能不足等問(wèn)題，不過(guò)對(duì)英特爾傷害最大的還是10nm工藝不斷延期，這嚴(yán)重?fù)p害了英特爾在先進(jìn)工藝上領(lǐng)導(dǎo)者的形象。對(duì)于10nm工藝，英特爾官方的路線圖中還是2019年底出貨，首先用于FPGA，服務(wù)器及PC處理器在2020年跟進(jìn)10nm工藝。

早前主管英特爾工藝、制造業(yè)務(wù)的Murthy Renduchintala談到了英特爾的制程工藝路線圖，他提到英特爾的10nm工藝性能水平還是2014年的標(biāo)準(zhǔn)，也就是否認(rèn)了10nm工藝縮水的可能，不過(guò)他也首次證實(shí)了英特爾7nm節(jié)點(diǎn)會(huì)使用EUV工藝，而且7nm工藝從10nm工藝中吸取了教訓(xùn)，是兩個(gè)團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)的，7nm EUV工藝不會(huì)受到10nm工藝延期的影響。

根據(jù)英特爾早前所說(shuō)，10nm工藝之所以難產(chǎn)的一個(gè)關(guān)鍵是它最初的指標(biāo)定的太高了，相比14nm工藝，10nm工藝的晶體管密度是前者的2.7倍，也就是2.7x水平的縮放水平，遠(yuǎn)高于業(yè)界2x的平均水平，這也導(dǎo)致10nm工藝制造困難，不斷延期，以致于早前有消息稱英特爾在明年底量產(chǎn)的10nm工藝中會(huì)降低技術(shù)指標(biāo)，更像是12nm工藝而非最初設(shè)定的10nm工藝，也就是說(shuō)新的10nm工藝會(huì)“縮水”。

在上周的納斯達(dá)克39屆投資者會(huì)議上，英特爾高級(jí)副總Murthy Renduchintala談到了英特爾公司10nm、7nm等先進(jìn)工藝的情況，首先來(lái)說(shuō)10nm工藝——“英特爾的10nm工藝野心沒(méi)變”，Renduchintala這句話相當(dāng)于否認(rèn)了10nm工藝縮水的傳聞，他說(shuō)與2014年設(shè)定的目標(biāo)相比，10nm工藝在性能、密度及功耗上的指標(biāo)保持不變。

官方這么表態(tài)意味著明年底的10nm工藝在性能、密度等方面還會(huì)保持優(yōu)勢(shì)，不過(guò)10nm工藝的生命周期可能不會(huì)很長(zhǎng)，因?yàn)镸urthy Renduchintala還談到了英特爾的7nm工藝，確認(rèn)7nm節(jié)點(diǎn)他們會(huì)使用EUV工藝，在這點(diǎn)上英特爾之前的表態(tài)是即便沒(méi)有EUV工藝，他們也懂得如何制造7nm芯片，因?yàn)橛⑻貭栐诙嘀仄毓夤に嚿弦恢焙軓?qiáng)勢(shì)，但是現(xiàn)在看來(lái)7nm節(jié)點(diǎn)上他們也會(huì)跟臺(tái)積電、三星一樣開(kāi)始依賴EUV光刻工藝。

根據(jù)Murthy Renduchintala所說(shuō)，他們吸取了10nm工藝上的教訓(xùn)，10nm及7nm工藝是兩個(gè)不同的團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)的，所以10nm延期不會(huì)影響7nm的進(jìn)度，目前7nm EUV工藝正在路上，進(jìn)展良好。

不過(guò)英特爾方面并沒(méi)有給出7nm EUV工藝具體的量產(chǎn)時(shí)間，臺(tái)積電、三星預(yù)計(jì)會(huì)在2019年量產(chǎn)7nm EUV工藝，但是對(duì)EUV工藝的利用依然還是初步的。

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