根據(jù)外國(guó)科技網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，供應(yīng)鏈消息指出，高通（Qualcomm）下一代驍龍855處理器目前已完成流片，使用臺(tái)積電7納米制程技術(shù)，支援QC 5.0快速充電，還整合人工智能運(yùn)算NPU單元，預(yù)計(jì)將在2018年底前亮相，而搭配驍龍855處理器的終端設(shè)備要到2019年第1季才會(huì)問(wèn)世。

報(bào)導(dǎo)指出，高通目前的驍龍?zhí)幚砥髦饕褂萌?4納米及10納米制程技術(shù)。上周才發(fā)表的驍龍675中端處理器采用三星改良自14納米制程的11納米制程。不過(guò)，即使像高通與三星合作這么緊密的伙伴，在下一代制程技術(shù)，還是轉(zhuǎn)向臺(tái)積電。市場(chǎng)人士表示，這情況顯示三星在7納米制程即便使用EUV技術(shù)，仍舊有難以突破的瓶頸。

此外，除了代工廠由三星轉(zhuǎn)向臺(tái)積電，高通新一代處理器命名也將有重大變化。旗艦級(jí)的8系列產(chǎn)品，將變成驍龍1000系命名，就是在原來(lái)稱(chēng)為驍龍855的處理器，其中會(huì)有智能手機(jī)使用的驍龍8150處理器，另一款則是針對(duì)Windows“全時(shí)聯(lián)網(wǎng)”筆記型電腦使用的驍龍8180處理器，頻率將高達(dá)3GHz，功耗也將降低至15W。

這兩項(xiàng)產(chǎn)品，日前供應(yīng)鏈消息指出，驍龍8150處理器已完成流片，意味著芯片完成大部分工作，并且2018年底前就會(huì)正式亮相生產(chǎn)。不過(guò)，相關(guān)終端產(chǎn)品上市，最快也要到2019年第1季。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出，技術(shù)方面，驍龍8150處理器除了升級(jí)至7納米制程，也會(huì)加入新技術(shù)支援，其中一個(gè)就是QC 5.0快充技術(shù)，預(yù)計(jì)充電功率將從目前27W提升到32W，并且從兩路電路變成三路電路，提高充電效率，同時(shí)也能控制好溫度。

NPU方面，驍龍8150處理器還會(huì)整合專(zhuān)用NPU，提高人工智能及深度學(xué)習(xí)等的效能。不過(guò)，在這方面華為麒麟處理器、蘋(píng)果A系列處理器都已領(lǐng)先高通，加入NPU單元。這種方法能提高處理器多少效能，有待未來(lái)產(chǎn)品推出后實(shí)際驗(yàn)證。

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