7月18日,半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)發(fā)布了2018年第2季財報。根據(jù)財報顯示,今年二季度ASML營收增長了19.9%至27.40億歐元,高于此前預(yù)期的25-26億歐元;毛利率達(dá)43.3%,雖然低于第一季度的48.7%,但高于去年同期的42.9%;凈利潤年增4.8%(季增8.2%)至5.84億歐元。
作為全球最大的光刻機制造商,ASML的營收也主要來自于銷售光刻機。根據(jù)財報顯示,27.4億歐元的營收中,機臺銷售收入高達(dá)20.86億歐元,平均下來每臺售價3600萬歐元。當(dāng)然對于營收貢獻(xiàn)最大的還是ASML最新的可用于7nm/5nm工藝的極紫外(EUV)光刻機,目前全球僅ASML能夠供應(yīng)。
而ASML二季度營業(yè)利潤率的下降,恰恰是因為最新的EUV機器出貨比之前多了。因為EUV光刻機前期研發(fā)投入較大,單臺雖然售價高達(dá)1.1億美元,但是成本也很高,利潤率相對并不高。
對于三季度的展望,ASML預(yù)估營收將達(dá)27-28億歐元(中間值為27.5億歐元)、毛利率預(yù)估約為47-48%。值得一提的是,ASML上個季度披露的訂單已經(jīng)都排到了2019年之后了。
另外值得注意的是,今年二季度,ASML的系統(tǒng)設(shè)備銷售額有19%是來自中國大陸市場,19%來自美國市場,18%來自中國臺灣。當(dāng)然,為ASML營收貢獻(xiàn)最大的還是韓國,占比高達(dá)35%。作為對照,2018年一季度韓國、中國大陸、中國臺灣占ASML系統(tǒng)設(shè)備銷售額比重分別為51%、20%、3%。
從ASML銷售的半導(dǎo)體設(shè)備的用途可以看到,二季度用于存儲領(lǐng)域的占比為54%,用于邏輯芯片的占比為45%,而在一季度,占比則分別為74%和26%。
從一二季度的ASML的系統(tǒng)設(shè)備銷售額市場占比變化(韓國占比大幅下滑,中國臺灣占比大幅提升),以及一二季度的用于存儲領(lǐng)域和邏輯芯片領(lǐng)域的設(shè)備占比變化(存儲領(lǐng)域設(shè)備占比減少、邏輯芯片領(lǐng)域設(shè)備占比提升)不難看出,導(dǎo)致這一變化的主要原因,可能是由于二季度三星從ASML采購的用于存儲芯片的設(shè)備減少,同時二季度隨著臺積電7nm量產(chǎn),以及下半年三星7nm的量產(chǎn),必然會增加對于ASML光刻機設(shè)備的采購。特別對于臺積電來說,7nm的蘋果的A12芯片必須在三季度前開始交付,所以二季度蘋果A12芯片就應(yīng)該在量產(chǎn)當(dāng)中了。另外,7nm華為海思麒麟980相信也將很快會量產(chǎn)。
資料顯示,三星的7nm工藝采用了EUV技術(shù),預(yù)計今年下半年量產(chǎn)。而臺積電的7nm則是采用的是傳統(tǒng)光刻技術(shù),量產(chǎn)上能夠奪得先機,而后續(xù)的改良版本可能會用到EUV光刻機。
ASML CEO Peter Wennink也表示,2018年第二季EUV光刻機出貨量為4臺,較原先預(yù)期多出1臺。全年度出貨量預(yù)估可達(dá)20臺。ASML目前規(guī)劃2019年EUV出貨量至少為30臺。
需要注意的是,這里的出貨是指正式交付的設(shè)備,而EUV光刻機從下單到交付可能需要1年以上的周期,而臺積電、三星此前為了拿到EUV的產(chǎn)能,很早就已經(jīng)下單了。二季度交付的4臺EUV光刻機很可能也被這兩家所瓜分。
值得一提的是,上面的資料也顯示,今年二季度ASML收到了1臺EUV光刻機的訂單。而這筆訂單應(yīng)該就來自中國大陸晶圓代工龍頭中芯國際,預(yù)計將于2019年年初交付。
另外,今年二季度國內(nèi)存儲制造龍頭企業(yè)——長江存儲從ASML購買的第一臺光刻機開始進(jìn)廠。華虹集團(tuán)旗下上海華力集成電路制造有限公司建設(shè)和營運的12英寸先進(jìn)生產(chǎn)線建設(shè)項目(“華虹六廠”)首臺工藝設(shè)備光刻機(來自ASML)也正式進(jìn)廠。
而隨著接下來中芯國際28nm工藝占比的提升以及14nm工藝的量產(chǎn),還有長江存儲以及國內(nèi)其他新建的大批晶圓廠,對于ASML光刻機的需求可能將會出現(xiàn)井噴。屆時中國市場對于ASML營收的貢獻(xiàn)占比或?qū)⑦M(jìn)一步提升。
雖然,借助ASML先進(jìn)的光刻機設(shè)備,國內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展將開始進(jìn)入了一個新的階段。但是我們?nèi)匀恍枰宄恼J(rèn)識到我們在上游半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的缺失,特別是在高端的光刻機領(lǐng)域的空白。
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