新型鍵合材料對于在高級半導(dǎo)體制造工藝中保持超薄晶圓的完整性至關(guān)重要。有了新型材料的配合，臨時鍵合在晶圓減薄工藝中愈發(fā)成為可能。

隨著半導(dǎo)體晶圓制程對縮小特征尺寸和引入全尺寸3D集成需求高漲，晶圓越來越薄。雖然現(xiàn)在已經(jīng)有了將晶圓減薄至低于100微米的工藝，但獲得更薄晶圓（<50 μm）的代價卻是令它們變得極度脆弱，因?yàn)樯疃鹊臏p薄工藝和后端的金屬化工藝會給超薄晶圓施加額外應(yīng)力，從而導(dǎo)致翹曲或斷裂。

晶圓減薄工藝包括用聚合物鍵合材料，將器件晶圓暫時接合到承載晶圓上，并通過苛刻的后端穩(wěn)定晶圓工藝來支撐超薄的器件襯底。至于剝離技術(shù)，三種主流的剝離晶片襯底的方法有：熱滑動剝離、機(jī)械剝離和激光剝離，其中發(fā)展最迅速的為后兩種剝離技術(shù)。

下表整理了三種剝離方法的主要特性：

熱滑動剝離、機(jī)械剝離和激光剝離法正成為下一代超薄半導(dǎo)體晶圓的關(guān)鍵推動力。三種方法各有優(yōu)勢，技術(shù)工藝也在不斷取得進(jìn)步，為先進(jìn)封裝應(yīng)用領(lǐng)域帶來創(chuàng)新推動力。下一代超薄晶圓制造業(yè)中，臨時鍵合正在飛速發(fā)展，這些剝離方法也將在半導(dǎo)體行業(yè)得到更多的應(yīng)用。

編譯：Sharon

文章來源：https://semiengineering.com/temporary-bonding-enabling-the-next-generation-of-ultrathin-wafers/
http://www.mems.me/mems/foundry_201804/6279.html

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