繼28納米Poly/SiON制程技術(shù)成功量產(chǎn)以來，聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司再次取得了技術(shù)發(fā)展上的新里程碑。據(jù)悉，廈門聯(lián)芯已于今年2月成功試產(chǎn)采用28納米High-K/Metal Gate工藝制程的客戶產(chǎn)品，試產(chǎn)良率高達(dá)98%。

目前，聯(lián)芯能同時(shí)提供Poly/SiON和High-K/Metal Gate工藝技術(shù)。

據(jù)介紹，聯(lián)芯28納米High-K/Metal Gate工藝制程采用了目前全球最先進(jìn)的Gate Last制程技術(shù)，能大幅減少柵極的漏電量，提升晶體管的性能，可以應(yīng)用于更多樣化的各類電子產(chǎn)品。

對此技術(shù)突破，聯(lián)芯首席執(zhí)行官暨副董事長許志清表示非常開心，并期望未來進(jìn)一步強(qiáng)化與客戶合作，積極推動(dòng)產(chǎn)品量產(chǎn)。

聯(lián)芯集成電路制造項(xiàng)目位于福建省廈門市翔安區(qū)，本工程占地面積約25.5萬平方米，總建筑面積約36.8萬平方米。項(xiàng)目投資約62億美元，分兩個(gè)階段實(shí)施，其中第一階段建設(shè)全部廠房及構(gòu)建筑物設(shè)施，并安裝設(shè)備形2.5萬片/月的生產(chǎn)能力；第二階段在第一階段基礎(chǔ)上安裝設(shè)備再形成2.5萬片/月的生產(chǎn)能力。項(xiàng)目全部建成后形成12英寸、線寬55-28nm的集成電路芯片共5萬片/月的生產(chǎn)能力。

可以說，聯(lián)芯集成電路制造項(xiàng)目是海峽兩岸合資建設(shè)的第一座12英寸晶圓廠，也是福建省目前投資金額最大的單體項(xiàng)目。聯(lián)芯于2016年11月正式營運(yùn)投產(chǎn)，目前公司正全力提速至滿載產(chǎn)能

如需獲取更多資訊，請關(guān)注全球半導(dǎo)體觀察官網(wǎng)（www.0318hs.cn）或搜索微信公眾賬號（全球半導(dǎo)體觀察）。