1月23日，吉林華微電子股份有限公司（以下簡稱“吉林華微”）發(fā)布公告稱，擬募集資金總額不超過10億元（含發(fā)行費用），扣除發(fā)行費用后的凈額擬全部用于新型電力電子器件基地項目（二期）的建設(shè)。公告顯示，吉林華微本次配股將按每10股配售不超過3股的比例向全體股東配售。若以公司2017年12月31日的總股本751,588,000.00股為基數(shù)測算，本次可配股數(shù)量總計不超過225,476,400股。

功率半導(dǎo)體器件作為廣泛應(yīng)用于國民經(jīng)濟建設(shè)幾乎一切部門的重要而不可替代的基礎(chǔ)性產(chǎn)品，幾乎所有的電子產(chǎn)品都會用到功率半導(dǎo)體器件。為此，2016年國務(wù)院出臺的《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》以及2017年國家發(fā)改委公布的《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄（2016版）》（2017年第1號）都提出了發(fā)展電力電子功率器件的要求。

目前，中國已經(jīng)成為全球最大的功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用市場。據(jù)統(tǒng)計，2016年，中國功率器件市場規(guī)模達到1494.5億元，同比增長7.1%。面對國內(nèi)經(jīng)濟戰(zhàn)略性結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時期，為響應(yīng)國家號召，吉林華微目前正在實施“中高端技術(shù)產(chǎn)品規(guī)?；?rdquo;戰(zhàn)略。積極推進第三代新材料器件的研發(fā)、制造，以實現(xiàn)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)H領(lǐng)先企業(yè)的彎道超車。

據(jù)悉，吉林華微新型電力電子器件基地項目（二期）項目產(chǎn)品包括重點應(yīng)用于工業(yè)傳動、消費電子等領(lǐng)域，形成600V-1700V各種電壓、電流等級的IGBT芯片；同時包括應(yīng)用于各領(lǐng)域的具有成熟產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的MOSFET芯片，以及與公司主流產(chǎn)品配套的IC芯片.項目建成后，吉林華微將具有加工8英寸芯片24萬片/年的加工能力。項目達產(chǎn)后預(yù)計將實現(xiàn)年銷售收入約9.2億元，生產(chǎn)期平均年稅后凈利潤約1.8億元，項目內(nèi)部收益率（稅后）為16.22%。

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