因競爭對手臺積電、三星陸續(xù)在2018年挺進7納米先進制程，格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）日前也宣布，該公司的7納米制程不但在測試良率已提升到65%，未來將按照時程使用EUV技術(shù)的商用和普及，并與客戶AMD展開合作。根據(jù)格羅方德先前公布，7納米制程將在2018年推出，并在年底量產(chǎn)。

根據(jù)格羅方德全球銷售和業(yè)務發(fā)展高級副總裁Mike Cadigan日前在中國上海舉辦的GTC技術(shù)大會演講表示，隨著5G即將開始商用，資料傳輸?shù)乃俣仍絹碓礁?，手機需要滿足高速且大量的資料傳輸，需要不同以往的射頻元件。在高性能運算需求方面，格羅方德將提供FinFET制程，從14LPP到12LP，再到7LP等各節(jié)點的制程技術(shù)。

格羅方德首席技術(shù)長兼全球研發(fā)高級副總裁Gary Patton指出，目前7納米制程的7LP EUV技術(shù)已有積極進展。7納米LP制程預期將比14納米制程效能提升40%、功耗降低60%。目前，7納米測試良率已經(jīng)提高到65%，將按計劃進行EUV技術(shù)的商用和普及，并且與客戶AMD合作。

Gary Patton坦言，在EUV技術(shù)上，格羅方德的7納米制程確實面臨很多挑戰(zhàn)，包括如何進一步提升良率、光罩防塵膜瑕疵等問題，必須努力克服才能投入大規(guī)模量產(chǎn)，目標是將良率提高到95%。格羅方德目前采取分階段采用EUV技術(shù)的策略，第一階段將不采用光罩防塵膜（pellicle），第二階段才會使用。

除了先進制程，傳統(tǒng)的成熟制程一般很難滿足所有應用的要求，物聯(lián)網(wǎng)（IOT）對低功耗的要求更高，因此低功耗高性價比要求的應用，格羅方德也針對物聯(lián)網(wǎng)、移動通信、射頻芯片提供22FDX、12FDX等制程解決方案。

Gary Patton指出，目前格羅方德20、22納米已進入量產(chǎn)準備階段，且2018年底前已有15個設計定案，并陸續(xù)有135家客戶展開初期接觸。他指出，目前12FDX性能已經(jīng)90%達到目標，預計2018年下半年進入試產(chǎn)，2019年上半年正式量產(chǎn)。

格羅方德在中國的布局方面，受矚目的成都晶圓廠Fab 11（11廠）廠房施工建設歷時8個多月，一期廠房即將于11月初封頂，項目進展十分順利。預計在2018年完工時，將成為中國境內(nèi)最大的晶圓廠，并成為中國最先進12寸晶圓廠之一。同時，F(xiàn)ab 11也將成為格羅方德22FDX制程的生產(chǎn)中心。

預計先期Fab 11會以生產(chǎn)0.13微米到0.18微米的主流成熟技術(shù)產(chǎn)品為主，每月產(chǎn)能為20,000片。到2019年下半年，將進行高度差異化的22FDX（FD-SOI）制程量產(chǎn)，屆時產(chǎn)量將提高至每月65,000片。

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