為對抗三星，臺積電計劃導(dǎo)入極紫外光（EUV）微影設(shè)備，決定在7納米強化版提供客戶設(shè)計、并在5納米全數(shù)導(dǎo)入。這項決定引發(fā)群聚效應(yīng)，激勵相關(guān)設(shè)備供應(yīng)鏈和材料廠全數(shù)動起來，搶進「臺積大聯(lián)盟」，以分到市場。

臺灣地區(qū)《經(jīng)濟日報》報導(dǎo)，為爭取臺積電訂單，美商科磊（KLA-Tencor）宣布推出全新搭配EUV的檢測設(shè)備、德商默克（Merck）在南科成立亞洲區(qū)IC材料應(yīng)用研發(fā)中心，下月正式啟用。

據(jù)報導(dǎo)，半導(dǎo)體芯片原有193納米波長的浸潤機已無法滿足需求，必須升級13.5納米極紫外光（EUV），以降低晶圓制造的光罩數(shù)，縮短芯片制程流程。