近年來由于各項智能設備以及人工智能的應用，人們對于芯片計算能力的需求越來越大。芯片的運算能力取決于基本運算單元電晶體的多少，但由于電晶體的研發(fā)已經漸漸接近物理極限，無法再繼續(xù)縮小，因此科學家及各個科技大廠正在不斷研究下個能使芯片運算速度提升的方法。

其中一個半導體產業(yè)在追求的新興技術就是三維芯片，三維芯片利用高度的堆疊來整合不同的芯片，可以更有效利用空間、放入更多元件，增加運算速度。

研究人員：新技術前景可期

麻省理工學院的研究員近期利用納米碳管和電阻式存儲器（RRAM）發(fā)展出了新的三維芯片制造方法，目前已發(fā)表在期刊《Nature》上。有別于傳統(tǒng)以硅為基礎的芯片，這次的芯片為納米碳管及RRAM組成，由于納米碳管電路及RRAM制作時只需要200度的溫度，也因此解決了傳統(tǒng)硅芯片制程時需要超過1000度的高溫會損壞三維芯片的多層次結構的問題。

此外納米碳管和RRAM的能源消耗效率也比傳統(tǒng)芯片元件佳。

該團隊表示下一步將會與半導體公司合作開發(fā)新版本的三維芯片，把傳感功能及數(shù)據處理功能也加入單一芯片中。

有專家表示，這項發(fā)明可能會是延續(xù)摩爾定律的重要關鍵，雖然可能還需要很長時間的研究，不過前景是可讓人期待的。

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