五月下旬DRAM合約價(jià)持平開(kāi)出，日震后呈現(xiàn)的上漲力道已呈趨緩走勢(shì)

根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，五月下旬DRAM合約價(jià)以持平走勢(shì)開(kāi)出，DDR3 2GB及4GB合約均價(jià)分別維持在18.75美元(1Gb $1.02)及36.5美元(2Gb $2.12)，日本大地震后所帶動(dòng)的上漲動(dòng)能已呈現(xiàn)趨緩走勢(shì)。從市場(chǎng)面來(lái)觀察，由于先前兩家DRAM廠在40nm的良率問(wèn)題已逐步獲得改善，供貨方面也有望恢復(fù)正常水平，而先前硅晶圓供應(yīng)短缺的問(wèn)題，在信越化學(xué)及SUMCO的積極復(fù)工下，預(yù)計(jì)第三季可回復(fù)地震前的產(chǎn)能，斷煉危機(jī)已逐漸去化，再者PC-OEM廠對(duì)于下半年景氣仍有疑慮，加上近期DRAM庫(kù)存水位已拉回至四周左右水平，整體市場(chǎng)需求減弱下，六月合約價(jià)議定將增添變量。

DRAM微縮制程已近瓶頸，后續(xù)進(jìn)入門坎障礙極高，未來(lái)位成長(zhǎng)率將趨緩

2008年全球DRAM廠競(jìng)爭(zhēng)激烈，制程競(jìng)賽自70nm制程后加速，由于能否優(yōu)先導(dǎo)入先進(jìn)制程成為各廠獲利關(guān)鍵，從早期一個(gè)制程技術(shù)可以沿用一年甚至兩年的周期，轉(zhuǎn)為現(xiàn)今一年橫跨兩個(gè)制程技術(shù)，時(shí)至今日，各廠仍積極轉(zhuǎn)進(jìn)40nm甚至30nm制程，雖然每一個(gè)制程技術(shù)可以較前代技術(shù)增加20%-30%產(chǎn)出量，但提升良率的穩(wěn)定度卻日益困難，40nm制程質(zhì)量問(wèn)題頻傳，再再挑戰(zhàn)DRAM廠30nm制程后的研發(fā)技術(shù)能力。

以目前各家技術(shù)能力來(lái)分析，三星仍穩(wěn)居各DRAM廠龍頭之位，35nm制程至第二季末預(yù)估將占三星產(chǎn)能的30%，預(yù)計(jì)年末將有超過(guò)50%DRAM產(chǎn)出皆是采用35nm制程技術(shù)；海力士由于38nm制程需同時(shí)切入6F2領(lǐng)域，預(yù)估今年底貢獻(xiàn)產(chǎn)出的比例將非常有限；而日商爾必達(dá)子公司瑞晶在去年第四季已全數(shù)導(dǎo)入45nm制程，38nm制程預(yù)計(jì)六月量產(chǎn)，年末希望達(dá)成總投片產(chǎn)能一半的目標(biāo)；南科與華亞科現(xiàn)階段致力于拉高42nm的投片比重以及良率穩(wěn)定度，30nm有機(jī)會(huì)于年末進(jìn)行試產(chǎn)，此外各家內(nèi)存廠為了提高獲利能力，除了降低標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的投片比例，也將產(chǎn)能轉(zhuǎn)往毛利較高的服務(wù)器用內(nèi)存與行動(dòng)式內(nèi)存，改善目前DRAM廠的財(cái)務(wù)狀況。

展望下一世代的制程演進(jìn)，除了持續(xù)改善30nm制程研發(fā)進(jìn)度與良率外，無(wú)可避免的亦須面對(duì)摩爾定律的瓶頸，邁入20nm制程后，不僅設(shè)計(jì)難度添增往后生產(chǎn)的不確定性，造價(jià)高昂的超紫外光微影設(shè)備(EUV)更大幅拉高進(jìn)入次世代制程的門坎，目前除了有獲利能力的國(guó)際DRAM廠能負(fù)擔(dān)價(jià)格昂貴的機(jī)臺(tái)外，其余尚在虧損狀態(tài)的DRAM廠仍在審慎評(píng)估中未來(lái)市場(chǎng)的需求，所幸20nm制程設(shè)計(jì)難度及資本支出方面進(jìn)入障礙頗高，預(yù)計(jì)在2012年底以前仍會(huì)是以30nm制程顆粒為市場(chǎng)主流，有機(jī)會(huì)讓平均落后一到兩個(gè)世代的臺(tái)系DRAM廠商有短暫喘息的空間。未來(lái)兩年的內(nèi)存位成長(zhǎng)率將會(huì)趨緩，可望讓供過(guò)于求的標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格產(chǎn)能獲得部份紓解而讓價(jià)格回復(fù)至合理范圍。