NAND Flash合約價格自2008年底之后逐漸觸底上升，以主流的16Gb與32Gb為例，16Gb顆粒價格2008年12月上旬合約價為1.65美元，2009年3月上旬已達(dá)到3.15美元，平均漲幅達(dá)到91%；而32Gb顆粒合約價格也由2008年12月上旬的3.62美元漲到2009年3月上旬的5.98美元，平均漲幅也達(dá)到了65%，對于NAND Flash上下游廠商而言，如此快速的價格攀升也意涵著某種程度市場策略的調(diào)整。

就NAND Flash上游業(yè)者而言，自2008年年中后，NAND Flash價格即處于不斷下跌的態(tài)勢，除了由于總體經(jīng)濟不佳使消費者對于與NAND Flash關(guān)系密切的消費性電子產(chǎn)品需求持續(xù)疲弱外，各項與NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品的平均搭載容量也已經(jīng)超過一般消費者的實際需求，在2008年下半年，如何誘發(fā)消費者的購買意愿成為去年一項重要的課題。

再從上游業(yè)者的角度切入，過去幾年來，上游大廠皆處于穩(wěn)定獲利的階段，雖然有更多NAND Flash供貨商加入此一市場，使平均獲利下降，但整體而言，仍處于獲利的狀況，因而如何在市況低迷的情況下逆勢投產(chǎn)以增加市占率成為重要的考慮依據(jù)。然而，此種狀況于2008年第四季后改觀，不論是三星、東芝或美光皆面臨巨額虧損，因而如何確保獲利成為上游最重要的思考議題。在此種氛圍下，上游紛紛對產(chǎn)出進行調(diào)整，藉由減少供給以穩(wěn)定甚至提升價格，而此種策略也已對價格的穩(wěn)定達(dá)到一定程度的效果。

目前上游NAND Flash供貨商將以暫緩新晶圓產(chǎn)能擴充或漸進地淘汰部份200mm設(shè)備以降低產(chǎn)能利用率，部份也會轉(zhuǎn)以提升制程技術(shù)來做為NAND Flash位產(chǎn)出量的主要增長方式，以降低傳統(tǒng)淡季效應(yīng)并因應(yīng)全球不景氣的沖擊。

對下游廠商而言，短期間內(nèi)面對NAND Flash價格的大幅攀升，加上整體需求面不佳，也對既有產(chǎn)品與市場規(guī)劃帶來一定程度的壓力，去年因為NAND Flash價格持續(xù)下跌，下游廠商可以藉此獲得成本的緩沖，并可藉由容量的倍增以刺激終使用者的購買意愿，今年因為NAND Flash價格遽升將很難發(fā)生，而終端應(yīng)用產(chǎn)品的content per system的容量升級速率也將延遲且放緩。

雖然2009年NAND Flash市場年需求成長率比2008年減緩，但預(yù)期2009年下半年的傳統(tǒng)旺季效應(yīng)仍將使位需求高于上半年，而供貨商節(jié)制產(chǎn)出成長率也將有助于改善2009年上半年供過于求的情況，使下半年的市場供需轉(zhuǎn)趨較平衡的狀況，在旺季效應(yīng)及制程技術(shù)提升的成本下降效益相互影響下，我們預(yù)期2009年下半年NAND Flash價格可望呈現(xiàn)持穩(wěn)及緩步上揚的發(fā)展。