4Q08 在金融風(fēng)暴的影響下，使得傳統(tǒng)旺季需求出現(xiàn)遠(yuǎn)不如預(yù)期的情況，迫使 NAND Flash供貨商在業(yè)績(jī)及庫(kù)存的雙重壓力下，而采取了持續(xù)降價(jià)的策略來去化庫(kù)存及刺激買氣，因此4Q08 NAND Flash ASP約比3Q08下跌32% QoQ，由于終端產(chǎn)品出貨量不如預(yù)期，因此4Q08 NAND Flash位元的出貨量?jī)H比3Q08成長(zhǎng)約18% QoQ，約只有往年旺季成長(zhǎng)幅度的一半，整體NAND Flash品牌廠商的4Q08營(yíng)收，因此也比3Q08下跌19.3% QoQ成為US$2.227bn。

我們從此次的營(yíng)收排行可以看出，隨著Hynix在4Q08已關(guān)閉2座200mm NAND Flash廠房后，4Q08 IM Flash陣營(yíng)營(yíng)收已超越Hynix/Numonyx陣營(yíng)成為第3大陣營(yíng)，Toshiba由于2008年的產(chǎn)出成長(zhǎng)幅度最大，因此營(yíng)收排行在2008年也成長(zhǎng)最多，三星2008年則是維持龍頭地位及市占率，由于NAND Flash廠商目前都宣示 2009 年將持續(xù)淘汰部份200mm NAND Flash廠的設(shè)備，及暫緩300mm廠房的擴(kuò)充進(jìn)度來降低市場(chǎng)位供給的速度，以因應(yīng)2009年市場(chǎng)需求成長(zhǎng)的減緩及縮小供過于求的缺口，因此我們預(yù)期2009 年NAND Flash廠商市場(chǎng)份額生態(tài)將與2008年相似。此外，隨著3X nm以下的制程難度及研發(fā)成本日益增加，再加上NAND Flash產(chǎn)業(yè)價(jià)格波動(dòng)性劇烈，預(yù)期未來各陣營(yíng)間的競(jìng)合模式將會(huì)更加明顯。