DRAM產(chǎn)業(yè)進(jìn)入”減產(chǎn)或退出”的關(guān)鍵調(diào)整期

DRAM產(chǎn)業(yè)，由于資本投入龐大，以及設(shè)備折舊占成本比高達(dá)4-5成。廠商的生產(chǎn)規(guī)劃，必須以產(chǎn)能滿載方式生產(chǎn)，降低產(chǎn)品平均成本，回收投資。正因為如此，當(dāng)供需不平衡時，很難出現(xiàn)像其它產(chǎn)業(yè)會有自律性的減產(chǎn)。甚至，具有成本競爭力的廠商，在資金允許下，在市況不佳下再逆勢擴充廠能，轉(zhuǎn)進(jìn)技術(shù)，期待弱勢廠商不堪虧損，退出市場后，可趁機坐大市占率。如此，也讓DRAM空頭持續(xù)更久。

這波空頭持續(xù)達(dá)兩年，主要為退出障礙太大。在12吋廠的高投資以及幾次重整合并后，除了三星電子，仍有面板、通訊、手機等事業(yè)體。其它DRAM廠商如海力士、美光、奇夢達(dá)、爾必達(dá)，以及臺系廠商，力晶、茂德、南科都是僅生產(chǎn)內(nèi)存的公司。不像前幾波空頭退出的公司，DRAM僅是其中一事業(yè)體，可以切割出售，使公司財務(wù)止血，公司仍能存續(xù)。在這波空頭中，選擇退出形同永久消失。因此，若非公司資金出現(xiàn)嚴(yán)重缺口，而且市價跌落現(xiàn)金成本，短期內(nèi)價格回升不易，才有可能發(fā)生大規(guī)模的減產(chǎn)動作。

DRAMeXchange 研究數(shù)據(jù)估計,現(xiàn)在DRAM廠的主流技術(shù)70nm的平均現(xiàn)金成本在1.3-1.5美元，今年上半年普遍開始轉(zhuǎn)進(jìn)的6xnm改良版，現(xiàn)金成本下降至1.0-1.2美元，然而九月、十月DRAM DDR2價格下跌都達(dá)20%，使十月合約價及現(xiàn)貨價來到1.3及1.0美元的新低點。而在全球經(jīng)濟衰退隱憂下，需求短期難以回升，DRAM價格亦難以迅速反彈。DRAM廠商在持續(xù)虧損下，現(xiàn)金部位已經(jīng)吃緊，在金融風(fēng)暴席卷，全球經(jīng)濟衰退，銀行緊縮銀根，流動性風(fēng)險增加的險峻環(huán)境下，想在資本市場募集資金，難度更高。因此，DRAMeXchange認(rèn)為DRAM產(chǎn)業(yè)進(jìn)入以”減產(chǎn)或退出”的關(guān)鍵調(diào)整期。大規(guī)模減產(chǎn)正開始進(jìn)行中，甚至有DRAM廠商將于2009年退出DRAM市場。DRAM產(chǎn)業(yè)這波調(diào)整將持續(xù)進(jìn)行，直至產(chǎn)業(yè)回復(fù)供需平衡。

第一波”九月減產(chǎn)”，12吋投片量降低6%

DRAM價格在九月銷售不佳下，價格迅速滑落至現(xiàn)金成本。因此，九月初，力晶帶頭宣布減產(chǎn)，宣布力晶12吋廠即日起將減產(chǎn)10~15%，減少投片量1.3萬~1.9萬片，減產(chǎn)幅度約占全球DRAM產(chǎn)能1.5~2.0%。力晶技術(shù)伙伴，爾必達(dá)在數(shù)天后跟進(jìn)宣布于日本廣島廠減產(chǎn)10%，約1萬片，占全球DRAM產(chǎn)能約1%。9月22日，全球第二大DRAM廠韓國海力士（Hynix）宣布加入減產(chǎn)行列，旗下8吋廠幾近全面停產(chǎn)。僅留M8一座8吋廠約10萬片月產(chǎn)能，同時生產(chǎn)DRAM，NAND Flash及CMOS Image Sensor。集邦估計此8吋減產(chǎn)約可降低海力士15%-20%總產(chǎn)出，以海力士約18%-20%市占率估計，海力士此舉可減少全球DRAM產(chǎn)出3%至3.5%。

第二波”十一月減產(chǎn)”，12吋投片量再降10%

華亞科在美光確定入主后，宣布于十一月開始先減產(chǎn)20%，以準(zhǔn)備技術(shù)轉(zhuǎn)換。南科也暫停Fab3 Phase2的擴產(chǎn)計劃，轉(zhuǎn)而先于Fab3 Phase1的30K產(chǎn)能做技術(shù)轉(zhuǎn)換。于十一月開始，產(chǎn)能會逐步下降，預(yù)計于明年一月產(chǎn)能降至零。二月開始轉(zhuǎn)進(jìn)美光技術(shù)。茂德宣布停產(chǎn)8吋產(chǎn)、12吋產(chǎn)能，雖未對外正式宣布，但根據(jù)多方消息來自茂德上游廠商及下游客戶，茂德十月12吋投片量已減少約50K，十一月、十二月12吋月投片量約減少達(dá)70K。而力晶也可能在十一月再減產(chǎn)20K，到90K左右。DRAMeXchange估計，自十月份宣布的減產(chǎn)總量，預(yù)計在十一月份將達(dá)125K的12吋產(chǎn)能，大約占12吋投片量10%。

第三波”一月減產(chǎn)”，12吋投片量再降6%

茂德尚未對外公布，但據(jù)可靠消息指出，將于明年一月廠房將進(jìn)行為時一個月的歲休。而南科也預(yù)計在明年一月將其12吋廠投片降為零，做轉(zhuǎn)進(jìn)美光技術(shù)的準(zhǔn)備。力晶亦可能在明年一月農(nóng)歷春節(jié)，進(jìn)行約二周歲休。如此，相較十一、十二月的投片量，又將減少7萬片，約6%。上述的減產(chǎn)，都只是DRAM廠商面臨此次價格跌落現(xiàn)金成本所做的短期因應(yīng)。DRAM的投片量在明年第一季會降到低點。根據(jù)DRAMeXchange研究調(diào)查的統(tǒng)計，以今年第二季的平均月投片量為基準(zhǔn)，今年第三季平均月投片量(12吋約當(dāng))，較僅小幅下降1.8%，第四季與第二季高點比，平均月投片量約下降17%，明年第一季約下降20%。

DRAM 4Q08、2009供需及價格趨勢分析

在第四季，PC OEMs及通路商都急欲消化手中庫存，市場需求急凍下，DRAM廠銷貨壓力大增，庫存也隨之升高。因此在明年一月前，DRAM廠在面臨庫存壓力下，價格都難展開強勢反彈。而自九月開始的一連串減產(chǎn)行動，預(yù)計在明年一月的減產(chǎn)總量總達(dá)到最高，預(yù)計在明年第一季底會供過于求狀況會開始舒緩。因此DRAM價格有機會在明年第二季底或第三季隨著PC OEMs需求上升而回升。

由于九月、十月DRAM價格下跌各20%，價格已跌至大部份DRAM廠商現(xiàn)金成本以下，加上DRAM廠商虧損已達(dá)一年半，DRAM廠商經(jīng)營已陷入困境。在第四季均價可能下跌20%-30%，若低價持續(xù)到明年第一季，很可能有至少2家DRAM廠被迫退出市場。不論減產(chǎn)或退出，DRAM產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入最后階段的存亡競爭。DRAM產(chǎn)能必經(jīng)過持續(xù)調(diào)整直至供需恢復(fù)平衡，在無各國政府進(jìn)場紓困，由市場機制自由進(jìn)行調(diào)整下，DRAMeXchange預(yù)估快則明年第二季，慢則明年下半年DRAM均價將回復(fù)至1.5-2.0美元/1Gb。

NAND Flash供過于求市況可望于2H09獲得改善；11月上旬主流MLC NAND Flash合約價下跌0-20%

3Q07由美國次貸問題所引發(fā)的全球性金融風(fēng)暴，在2H08也已影響到經(jīng)濟的實質(zhì)面，使得傳統(tǒng)2H08的NAND Flash旺季需求型態(tài)已不如往年的季節(jié)性成長幅度，由于過去一年以來全球主要股市已下跌30-70%，且全球房地產(chǎn)價格也仍處于下行的調(diào)整期中，在財富效應(yīng)縮水的狀態(tài)下，消費電子市場的需求力道也因此而受到逐漸削弱，商用電子市場也因企業(yè)對未來展望持保守心態(tài)，因此在電子設(shè)備的資本支出也會刪減預(yù)算，我們預(yù)期2009年NAND Flash的需求成長在消費市場、商用市場、先進(jìn)國家、新興國家等市場都會比2008年降低。

我們預(yù)期1H09在淡季效應(yīng)的弱化下，供過于求的情況會比2H09嚴(yán)重，但NAND Flash廠商2009年多將采用以制程技術(shù)提升為主來增加產(chǎn)出量，預(yù)期2H09在成本進(jìn)一步下降的情況下，將有助于業(yè)者推廣更多低成本高容量的智能手機(smart phones)、音樂播放器(MP3)、低價計算機(low-cost PCs)、移動上網(wǎng)裝置(mobile internet devices, MID)、固態(tài)硬盤(solid state disk, SSD)和隨身碟(USB Flash drive, UFD)等新產(chǎn)品來促進(jìn)位需求量的提升，使得2H09供過于求的缺口得以縮小，2H09若NAND Flash廠商能持續(xù)控制產(chǎn)出的成長幅度，則可望在旺季效應(yīng)的帶動下出現(xiàn)反彈的行情。

我們預(yù)估2009年NAND Flash年位需求成長率將由2008年的125.5%減少到93.1%，同時我們預(yù)估2009年NAND Flash年位供給成長率將由2008年的133.9%減少到 89.5%，由2009全年來看仍將延續(xù)2008年供過于求的狀況。

11月上旬NAND Flash合約價簡評

11月上旬主流MLC NAND Flash合約價下跌約0-20%，主因為在市場預(yù)期圣誕節(jié)買氣可能不佳的情況下，部份NAND Flash供貨商也采取降價的行動，以配合下游客戶提前展開年終促銷活動的想法，希望能提振年終旺季的消費意愿，SLC NAND Flash則因供給減少而呈現(xiàn)相對止穩(wěn)的情況，雖然4Q08旺季需求可能不如往年的成長幅度，但有鑒于目前主流MLC NAND Flash顆粒一年來累計跌幅多已達(dá)80%以上，預(yù)期短期將大致呈現(xiàn)緩跌的情況。

前景不明的PC市場

全球PC市場受買氣疲軟影響，出貨達(dá)標(biāo)率不足。MB與NB第三季出貨合計73.4M，季成長率14.6%，低于預(yù)期20%之目標(biāo)。MB季成長率僅有11.7%，規(guī)模為40.7M；NB出貨量達(dá)32.6M，成長率達(dá)18.5%，表現(xiàn)亦略低于季初預(yù)期。

就歷史水平，第3季旺季出貨，向來可較第2季成長20%，今年面臨美國次級房貸風(fēng)暴和通膨影響經(jīng)濟成長、失業(yè)率升高，影響消費意愿，抑制計算機需求，使得部份業(yè)者原期望下半年追回銷售目標(biāo)希望落空，進(jìn)而下修成長率，第三季MB整體成長率為11.7%，規(guī)模為40.7M，僅有歷史一半的水平。NB部份，出貨量達(dá)32.6M，成長率達(dá)18.5%。

另外，隨著ODM各大廠陸續(xù)發(fā)表第四季出貨目標(biāo)，PC前景不明愈發(fā)嚴(yán)重。如原預(yù)估NB季成長率15-20%，紛紛下修至5%-10%。ODM廠目前對十一月出貨仍看好，有機會與十月份持平，但感恩節(jié)最終市場銷售情況，左右十二月份的出貨。

在全球裁員聲四起之下，業(yè)者態(tài)度相當(dāng)保守，預(yù)期年底出貨將大幅衰退，預(yù)估第四季NB季成長率落在4%-7%之間，遠(yuǎn)低于以往15%-20%的水平，規(guī)模達(dá)34.2M，全年則約120M。主機板部份，第四季預(yù)估出貨量為38-40M，季成長率-7~-2%之間，全年約-5%，規(guī)模為156.2M。

而2009年P(guān)C市場展望，亦令人無法樂觀。PC業(yè)者表示盡可能維持與產(chǎn)業(yè)同水平之成長性，NB方面，因尚有取代MB市場的空間，成長率估計為10%~15%。MB部份，除了面臨市場被侵蝕外，亦缺乏技術(shù)趨動力，AMD與Intel整合繪圖核心之新CPU，計劃于2009年第四季或2010年上市，亦將遞延主機板升級需求至2009年底。因此預(yù)計MB市場規(guī)模將持續(xù)縮減，預(yù)估衰退10%，整體PC不含Netbook規(guī)模預(yù)計277M，僅微幅成長0.3%。