DRAM價(jià)格跌落現(xiàn)金成本以下，需求成長(zhǎng)不佳，DRAM廠勢(shì)必大規(guī)模減產(chǎn)因應(yīng)

DRAM DDR2 1Gb 667MHz現(xiàn)貨價(jià)由今年五月六日高點(diǎn)$2.29，至十月十七日$1.13下跌近50%。自九月六日就正式跌破$1.5，DRAM廠平均現(xiàn)金成本的關(guān)卡。在市場(chǎng)庫(kù)存消化不易及需求前景不佳下，DRAM廠勢(shì)必大規(guī)模減產(chǎn)因應(yīng)。而且，一旦DDR2 1Gb低于$1.3，對(duì)成本壓力大的DRAM廠，營(yíng)收帶來(lái)的是現(xiàn)金凈流出，繼續(xù)生產(chǎn)已無(wú)必要。

DRAM 512Mb 667MHz也于去年十一月底跌破$1.0，接近當(dāng)時(shí)DRAM廠的現(xiàn)金成本，但PC搭載主流也在低價(jià)刺激下迅速由1GB增加至2GB，消耗掉市場(chǎng)超額供給。在第二季，PC OEMs及現(xiàn)貨市場(chǎng)買方普遍相信DRAM價(jià)格已落底且將反彈下，大幅拉高庫(kù)存，普遍建立庫(kù)存達(dá)一個(gè)月以上。使得DRAM DDR2合約價(jià)上漲了約25%，已接近DRAM廠平均總成本。而DRAM廠在迅速轉(zhuǎn)進(jìn)1Gb及70nm，成本也快速下降，在旺季即將到來(lái)下，眼看獲利在即。

但三星在第二季法說(shuō)喊出100%年供給成長(zhǎng)率，爾必達(dá)/力晶合資的瑞晶廠也快速增產(chǎn)至8萬(wàn)片。加上70nm轉(zhuǎn)進(jìn)，DRAM產(chǎn)出迅速增加。在八月后，PC OEMs、模塊廠及現(xiàn)貨市場(chǎng)買方都已庫(kù)存滿載，開始調(diào)降庫(kù)存。九月份在DRAM買方消化庫(kù)存，減少DRAM采購(gòu)量下，DRAM廠銷貨困難。

九月三十日，DRAM DDR2 1Gb 667MHz單日跌幅達(dá)7%，由$1.37跌至$1.28。市場(chǎng)更傳出，DRAM廠向特定買家提供$1/1Gb的超低破盤價(jià)，以期在最后一日傾銷手中庫(kù)存。

根據(jù)DRAMeXchange 估計(jì)，以九月份以基準(zhǔn)，PC OEMs、模塊廠以及現(xiàn)貨市場(chǎng)其它買方平均庫(kù)存達(dá)一個(gè)月，在消耗庫(kù)存，減少DRAM采購(gòu)量下，DRAM廠于九月、十月的產(chǎn)出無(wú)法全數(shù)銷售，庫(kù)存將拉高。而在面臨全球經(jīng)濟(jì)不景氣下，PC DRAM搭載量主流已達(dá)2GB以上，DRAM需求量成長(zhǎng)將大幅減弱，DRAM廠除了大幅減產(chǎn)因應(yīng)，別無(wú)他法。

DRAMeXchange估計(jì)，在不考慮庫(kù)存水位下，目前DRAM的超額供給已達(dá)10%以上，若加上庫(kù)存，DRAM廠必須減產(chǎn)30%以上至少一季。方能使庫(kù)存消化，但即使是高達(dá)30%以上減產(chǎn)，若僅是一季，在價(jià)格短期回穩(wěn)后，廠商又恢復(fù)全線生產(chǎn)，市場(chǎng)將又回復(fù)到供過(guò)于求的狀況。

DRAM產(chǎn)能必須有20%以上長(zhǎng)期性的退出，新產(chǎn)能增加減緩，5xnm轉(zhuǎn)進(jìn)延后，才有機(jī)會(huì)再回到供需平衡，DRAM價(jià)格才有可能回到廠商總成本以上。這樣的調(diào)整，即將發(fā)生，但DRAM廠要回到獲利狀態(tài)，短期內(nèi)仍難以期待，端視產(chǎn)能退出的狀況而定。

未來(lái)三到六個(gè)月，產(chǎn)能變化的幾個(gè)觀察重點(diǎn)：(1) 在美光確定拿下奇夢(mèng)達(dá)在華亞科的股權(quán)后，華亞科確定在六個(gè)月后全數(shù)轉(zhuǎn)為美光技術(shù)，八個(gè)月后全面停止供貨給奇夢(mèng)達(dá)。預(yù)估華亞科在未來(lái)半年，每月產(chǎn)能將有20%做技術(shù)轉(zhuǎn)換。半年內(nèi)，每月產(chǎn)能減少25K左右。

(2) 奇夢(mèng)達(dá)在出脫華亞科后，其德國(guó)、美國(guó)廠的產(chǎn)能規(guī)劃以及華邦電的代工產(chǎn)能，總計(jì)近10萬(wàn)片的12吋月產(chǎn)能，是市場(chǎng)供給變化的一大變量。(3) 茂德Fab 2、3、4三座12吋廠，也達(dá)10萬(wàn)片的12吋月產(chǎn)能，在現(xiàn)金部份緊縮下，產(chǎn)能調(diào)節(jié)也勢(shì)在必行。

目前DRAM廠第三季12吋月投片量平均124萬(wàn)片。DRAMeXchange認(rèn)為未來(lái)三個(gè)月內(nèi)，月投片量至少要降到100萬(wàn)片，以消耗庫(kù)存，在需求成長(zhǎng)減緩下，明年DRAM供給成長(zhǎng)也必須降到30%以下，方有助于復(fù)蘇。

直通硅晶穿孔TSV：解決多層NAND Flash芯片堆棧困難的未來(lái)封裝技術(shù)

NAND Flash的幾個(gè)主要應(yīng)用如：記憶卡、隨身碟和SSD，在今年的銷售市場(chǎng)上開始出現(xiàn)儲(chǔ)存容量迅速往上攀升的現(xiàn)象，目前記憶卡SD和CF兩種規(guī)格最大容量可達(dá)32GB，microSD規(guī)格則為16GB，隨身碟現(xiàn)在有部分業(yè)者推出64GB的產(chǎn)品；而SSD產(chǎn)品今年多數(shù)業(yè)者都主推32、64、80和128GB容量，我們預(yù)期2009至2010年SSD的容量會(huì)提升至256GB以上。在這些應(yīng)用的容量會(huì)持續(xù)往上增加的狀況下，制造這些產(chǎn)品的廠商面臨封裝技術(shù)上的一些瓶頸亟待克服。

目前NAND Flash上游制造商使用5x奈米制程生產(chǎn)的NAND Flash單顆芯片最大容量可達(dá)16Gb（=2GB），但使用5x 奈米制程生產(chǎn)的16Gb晶粒（dies）無(wú)法放入microSD內(nèi)，需等待4x奈米制程技術(shù)成熟后才能將16Gb晶粒放入microSD。但無(wú)論使用8個(gè)5x奈米制程的8Gb晶粒外加1顆控制IC所堆棧而成的microSD 8GB，或用8個(gè)4x奈米制程的16Gb晶粒外加一顆控制IC封裝成的microSD 16GB，均面臨九顆晶粒堆棧在一起時(shí)打線所需的空間有限之問題。因此，使用目前COB制程生產(chǎn)高容量的microSD，往往會(huì)面臨堆棧多晶粒數(shù)卻導(dǎo)致生產(chǎn)良率不佳的困難。

目前SSD的封裝是在一塊PCB板上打上8、10、16、20顆不等的NAND Flash顆粒（chips），每一顆粒均使用TSOP形式封裝，TSOP可放入的晶粒面積雖遠(yuǎn)大于microSD，但SSD同樣面臨每一TSOP顆粒所能放入晶粒數(shù)的多寡而影響其整體儲(chǔ)存容量的限制。例如：現(xiàn)在NAND Flash廠商可以提供最大容量的TSOP顆粒為128Gb（=16GB），SSD業(yè)者便能以8顆TSOP做成128GB的SSD。若SSD業(yè)者要做出256GB的SSD則需使用到16個(gè)128Gb的顆粒，或是在使用8個(gè)TSOP顆粒的條件下每個(gè)顆粒的容量要提升到256Gb，惟這需要使用更微細(xì)的先進(jìn)制程生產(chǎn)出單位容量更高的晶粒，或是在封裝推迭晶粒的技術(shù)上要有更新的突破才能達(dá)成。

由于NAND Flash后續(xù)微縮制程的難度越來(lái)越高，要克服持續(xù)提升容量而不受制程微縮困難的影響，唯有轉(zhuǎn)向使用突破性的封裝技術(shù)：直通硅晶穿孔（Through Silicon Via；TSV）。TSV和采用線構(gòu)裝（wire bonding）傳統(tǒng)堆棧晶粒的封裝技術(shù)不同之處在于它是在晶粒上以蝕刻或雷射的方式鉆孔（via），再將導(dǎo)電材料如銅、多晶硅、鎢等填入via，最后將晶粒薄化后再堆棧在一起。TSV的優(yōu)點(diǎn)是各晶粒內(nèi)部路徑的連接更短，相對(duì)可使各芯片內(nèi)的訊息傳輸?shù)乃俣雀?、噪聲更小、效能更好，尤其用在記憶卡?nèi)各晶粒和控制IC之間數(shù)據(jù)的傳輸，更可突顯TSV縮短傳輸路徑的優(yōu)勢(shì)。目前Intel、Micron、Samsung、Toshiba等業(yè)者均已有TSV的封裝技術(shù)，預(yù)期未來(lái)三至五年當(dāng)記憶卡、隨身碟和SSD等產(chǎn)品走向更高容量的趨勢(shì)日益明顯時(shí)，TSV封裝技術(shù)在內(nèi)存市場(chǎng)將會(huì)逐漸興起。

Intel CPU新平臺(tái)上市，有助內(nèi)存規(guī)格改朝換代

Intel在2008年初發(fā)布最新45nm桌上型計(jì)算機(jī)(DT)Nehalem核心處理器「Core i7」，將在今年十一月上市，同時(shí)登場(chǎng)的是搭配Core i7之高階定位芯片組「X58」。Core i7系列采用許多新技術(shù)，與舊平臺(tái)并不兼容，例如采全新「QuickPath Interconnect」架構(gòu)(QPI)、Turbo mode operation、整合Memory Controller、支持DDR3 Memory等。

此次架構(gòu)的全新設(shè)計(jì)，意義更甚于往，對(duì)內(nèi)存規(guī)格的更迭亦是。就以往設(shè)計(jì)，支持DDR3或DDR2規(guī)格，乃視北橋芯片組，如目前市場(chǎng)銷售最佳之芯片組G31或高階P45皆同時(shí)支持DDR2/DDR3。然在新舊內(nèi)存規(guī)格存在數(shù)倍差價(jià)下，PC廠商自然偏好DDR2，使得內(nèi)存規(guī)格的改朝換代一直不見起色。

而新一代CPU「Core i7」，技術(shù)方面不但整合Memory Controller且僅支持DDR3 Memory，其意味著采用「Core i7」+「X58」新平臺(tái)之PC，成為強(qiáng)化DDR3普及之重要力道。然而「Core i7」+「X58」上市之初，為高階產(chǎn)品定位，即使不論主機(jī)板是支持DDR2或DDR3，成本上雖相去不遠(yuǎn)，也會(huì)因系統(tǒng)配備同步為高階，而使整機(jī)價(jià)格高不可攀，使得初期DDR3滲透率有限。

因此現(xiàn)階段DDR3內(nèi)存的采用，關(guān)鍵因素在于新舊規(guī)格內(nèi)存價(jià)格的接近。而2009下半年，隨「Core i7」+「X58」?jié)u為市場(chǎng)接受，雖將有助強(qiáng)化DDR3普及的力量；但考慮2009年全球經(jīng)濟(jì)依然弱勢(shì)導(dǎo)致PC需求不振，CPU新平臺(tái)進(jìn)入主流市場(chǎng)地位，時(shí)程可能慢至2010。因此明年內(nèi)存規(guī)格的取代，端看本身價(jià)差，芯片組產(chǎn)品的切換影響力道則有限，更不會(huì)重復(fù)當(dāng)年因芯片組供貨不足引起內(nèi)存規(guī)格(DDR2vs.DDR1)切換遞延的歷史。