臺灣DRAM封測產(chǎn)業(yè)之分析

隨著DRAM產(chǎn)業(yè)自2007年的位成長率高達(dá)94%，市場供過于求的情形超乎預(yù)期導(dǎo)致價格嚴(yán)重下滑，DDR2 512Mb與 1Gb價格分別下滑了86%與70%，甚至逼進(jìn)了變動成本，而臺灣DRAM封測產(chǎn)業(yè)雖然表面上享受到顆粒產(chǎn)能大幅度的增加而接到比以往更多的訂單，但也因?yàn)轭w粒價格的大幅滑落而必須與DRAM原廠共體時艱，除了封裝成本往下調(diào)降之外，測試時間也必須縮短，再再挑戰(zhàn)封測廠的應(yīng)變能力。

面對這一波的DRAM顆粒價格大幅滑落，臺系封測廠商也必須與臺系DRAM原廠一般策略聯(lián)盟，以確保訂單無慮，再謀求彼此間最大的利益。如力成(PTI)有爾必達(dá)(Elpida)與金士頓(Kingston)的加持，產(chǎn)能持續(xù)開出紅盤，日月鴻(PowerASE)也不遑多讓，隨著瑞晶(Rexchip)的產(chǎn)能持續(xù)開出與65nm的正式轉(zhuǎn)進(jìn)，接單量也比以往增加，再者福懋(FATC)也伴隨著華亞科(Inotera)的良率大幅提升，從南亞(Nanya)過來的訂單也有與日俱增的趨勢。而沒有DRAM原廠支持的封測廠商，勢必面臨訂單量縮的不確定性與價格競爭的壓力(Figure-1)。

現(xiàn)階段臺系封測廠概況分析

從封測廠的資本支出來分析，約60%的資金會投注在測試設(shè)備上，40%的資金會用在封裝設(shè)備與材料成本，具市場人士表示，封裝設(shè)備因?yàn)槌杀据^低且DDR2與DDR3的顆粒封裝皆可使用，因此不用擔(dān)心日后升級的問題，而測試設(shè)備方面，因?yàn)镈RAM廠皆以縮短測試時間的方式來降低顆粒成本(DDR2 1Gb eTT的測試時間已降至原DDR 512Mb eTT 的200-300秒)，測試機(jī)臺閑置的問題已陸續(xù)浮現(xiàn)在封測廠當(dāng)中，為了解決測試產(chǎn)能閑置的問題，各家無不積極尋找新的合作伙伴與商品，邏輯IC與MCP制品已是各家封測廠的兵家必爭之地，如力成(PTI)就積極拉攏爾必達(dá)(Elpida)的MCP商品可以轉(zhuǎn)進(jìn)力成工廠測試，硅品(SPIL)也積極與邏輯客戶洽談中，南茂(Chipmos)也早已轉(zhuǎn)進(jìn)CMOS制品的測試，各家除了可以充分利用測試產(chǎn)能外，也希望可以把DRAM封測的業(yè)務(wù)比例降低，降低營運(yùn)上的風(fēng)險(xiǎn)。

關(guān)于DDR3顆粒測試方面，雖然DDR3邁入主流的時間點(diǎn)約在一年后，但隨著DRAM原廠對于DDR3顆粒量產(chǎn)持續(xù)增溫中，封測廠本身已經(jīng)在考慮DDR3測試機(jī)臺的采購需求。根據(jù)目前JEDEC協(xié)會所制定的DDR3的規(guī)格，速度在800Mhz-1600Mhz之間，以目前廣為測試廠所使用Advantest的T5593為例，測試頻率僅能到1066Mhz，原有測試機(jī)臺已無法滿足DDR3顆粒測試所需，需要更高頻率的測試就需要新購機(jī)臺來因應(yīng)，就現(xiàn)有測試機(jī)臺中，能夠支持到高頻率的測試機(jī)臺分別為Verigy的V93000 HSM系列與Advantest的T5503機(jī)臺(Figure-3)，速度分別支持到3.6GMhz和3.2GMhz，足以應(yīng)付現(xiàn)在DDR3顆粒測試的需求，但因新機(jī)臺的采購價格約在1.5-1.7億臺幣(約500-570萬美元)左右，使得DRAM測試廠投入DDR3測試產(chǎn)能速度緩慢。

觀望氣氛中買氣及價格俱顯疲軟，期待傳統(tǒng)旺季來臨

八月上旬NAND Flash合約價格持續(xù)下跌走勢，主要肇因于市場對NAND Flash需求維持低迷，平均合約價因而持續(xù)下跌約5-15%。

探究現(xiàn)階段市場需求不振的原因，主要因?yàn)槟壳癗AND Flash下游業(yè)者仍多處于等待北京奧運(yùn)過后白牌市場補(bǔ)貨需求回復(fù)，另外暑假過后的歐美及新興市場買氣有機(jī)會逐漸回籠，目前市場對第四季市場能見度仍低，因而多數(shù)下游廠商對于現(xiàn)階段備貨采取保守觀望或延遲采購的因應(yīng)措施。

由于受到第二季甫結(jié)束，上游廠商在第二季末于價格上采取彈性的供貨策略，造成目前主要NAND Flash下游廠商處于高庫存狀態(tài)，因而持續(xù)采取調(diào)降庫存策略，整體市場買氣因而顯得相對薄弱，而目前NAND Flash市場仍處于供給過剩的狀態(tài)也弱化了市場供需的自我調(diào)節(jié)機(jī)制。

8月上旬的NAND Flash買氣仍舊清淡，因而造成合約價格持續(xù)走軟，以16Gb MLC平均合約價格來看，6月上旬平均合約價格為5.06美元，7月上旬平均合約價格為4.02美元，而8月上旬持續(xù)下修至3.24美元，6至8月平均合約價格下跌36%。

NAND Flash市場回溫預(yù)估將要等到第三季后半傳統(tǒng)備貨旺季需求上升，從供給面觀之，考慮近期Hynix二次宣布調(diào)降今年NAND Flash位年成長目標(biāo)由原來的90-100%到50-60%的行動激勵下，NAND Flash合約價格可望隨著市場供需情況變得較為均衡后，而于第三季后期有機(jī)會逐步展開反彈。