現(xiàn)貨價(jià)低于合約，OEM開始涉入

伴隨歐美市場第二季 PC出貨可能低于預(yù)期，及三星回收問題產(chǎn)品新聞?dòng)绊懀袌鰮?dān)心該批產(chǎn)品可能流入現(xiàn)貨市場造成多余供給，上周DRAM現(xiàn)貨市場走勢相對(duì)弱勢，DDR2 eTT 1Gb價(jià)格一度跌破2美元，均價(jià)一周內(nèi)高低差達(dá)5%，為近期少見跌幅。此波下跌屬短線利空導(dǎo)致，市場對(duì)DRAM后市仍看好，縱使開始下跌時(shí)成交量不大，跌至2美元以下強(qiáng)勁接手買盤浮現(xiàn)，使價(jià)格在此止穩(wěn)?，F(xiàn)貨指標(biāo)DDR2 eTT 1Gb五月至今維持在2美元以上盤整。

在合約市場方面，幾家主要OEM大廠在五月已將價(jià)量談定，縱使近期PC需求略低于預(yù)期，五月未談的較小OEM廠此次仍須接受DRAM原廠漲價(jià)。根據(jù)集邦科技調(diào)查結(jié)果，合約均價(jià)在六月下旬持續(xù)上漲約2.3%。不少DRAM廠表示，目前供應(yīng)仍然吃緊，對(duì)于客戶的訂單無法完全滿足。后續(xù)PC需求是否會(huì)低于預(yù)期，及目標(biāo)下修程度，將是決定爾后DRAM價(jià)格上漲幅度的主要因素。

此波DRAM漲勢由合約價(jià)帶領(lǐng)現(xiàn)貨價(jià)上漲。以目前合約價(jià)推算，由22美元的1GB與44美元的2GB模塊換算，1Gb顆粒價(jià)格為2.38及2.56美元，較品牌1Gb顆粒現(xiàn)貨價(jià)格2.1美元高，比1Gb eTT價(jià)格分別高17%與27%，迥異于過去由現(xiàn)貨價(jià)帶動(dòng)合約價(jià)上漲的型態(tài)。造成此一現(xiàn)象主因，在于某臺(tái)系代工廠產(chǎn)能在07Q4與08Q1大幅開出，造成現(xiàn)貨市場供給增加。加上三月份模塊廠陸續(xù)趁低價(jià)買進(jìn)現(xiàn)貨，提高庫存水位，導(dǎo)致后續(xù)買盤力道減弱，1Gb eTT價(jià)格大致在2美元附近盤整，無法跟上合約價(jià)位。也因現(xiàn)貨價(jià)格低于合約價(jià)格，部分OEM近期開始與以現(xiàn)貨為主的兩家DRAM廠接觸合作，一旦順利，未來現(xiàn)貨供給多了出口，價(jià)格上漲壓力將減輕。

Micron Memory Day —勾勒美光對(duì)未來NAND Flash產(chǎn)品的發(fā)展愿景

美光(Micron)于2008年6月10日首次在臺(tái)北舉辦Memory Day，除了發(fā)表內(nèi)存最新技術(shù)進(jìn)程外，也提出其對(duì)市場的看法，除了目前已量產(chǎn)50nm的產(chǎn)品外，4Q08也將開始提供34 nm NAND Flash芯片。

美光于Memory Day中宣布目前已經(jīng)成功以34nm生產(chǎn)32Gb NAND Flash閃存，并宣布將積極布局高容量SSD市場，容量介于32GB到128GB間。美光認(rèn)為SSD具有極佳的潛力，將是未來NAND Flash終端產(chǎn)品最大的應(yīng)用之一，因此積極投入，希望在未來站穩(wěn)市場。

目前美光客戶的主要來源，美洲占32%，EMEA占12%，而亞洲則超過半數(shù)達(dá)到56%，亞洲超越美洲成為最重要的市場，并具有持續(xù)成長的潛力。在制程上，美光也擁有一定的優(yōu)勢，根據(jù)Patent Board對(duì)半導(dǎo)體專利積分評(píng)比，目前美光創(chuàng)新專利排名全球第二，僅次于Intel，而美光也與Intel建立良好合作關(guān)系，與Intel合作開發(fā)High-Speed SLC NAND的技術(shù)，目前美光Monolithic 50nm產(chǎn)品已采用MLC技術(shù)制作8Gb與16Gb產(chǎn)品；1Gb、2Gb與4Gb則使用SLC技術(shù)芯片，8Gb則采用High-Speed SLC產(chǎn)品。Q408美光將會(huì)開始供應(yīng)34nm制程16Gb的SLC芯片及32Gb的MLC芯片，到了2009年與2010年時(shí)，則將會(huì)推出30nm以下，容量高達(dá)32Gb SLC及64Gb MLC的芯片。

美光預(yù)估2008年全球NAND Flash市場將達(dá)到254億美元，除了目前一般MP3/PMP、UFD、記憶卡等應(yīng)用，也相當(dāng)看好行動(dòng)儲(chǔ)存市場的潛力，因而提出了相對(duì)應(yīng)的整合型產(chǎn)品，如「e-MMC」與「real SSD」來滿足市場需求，e-MMC(Embedded Multi-Media Card)結(jié)合8顆NAND Flash Die及MMC controller于單一裝置中，厚度為1.47mm，未來將薄至1.2mm，e-MMC具有整合軟硬件的簡易性，能夠加速處理速度，降低目前及未來NAND裝置設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，同時(shí)亦可納入MoviNAND和其它e-MMC的解決方案，目前e-MMC容量介于1GB至32GB間，可以廣泛運(yùn)用于Smart Phone、PDA、MP3 Player與數(shù)字?jǐn)z影機(jī)，2008至2009年以34nm提供32GB容量的產(chǎn)品，2009至2010年則將以2xnm提供64GB的產(chǎn)品。

美光也看好SSD市場前景，2008年SSD市場規(guī)模為9.59億美元，2012年將上看44億美元，達(dá)到目前5倍的規(guī)模。針對(duì)SSD市場，美光也提出相關(guān)解決方案：REAL SSD Embedded，采用SLC NAND Flash，提供包含1、2、4、8GB的不同容量，讀寫速度分別達(dá)到31MB/s與21MB/s；而REAL SSD Client(C200)則采用MLC NAND Flash、SATA接口，讀寫速度分別達(dá)到200MB/s與120MB/s；REAL SSD Client(C100)則使用SLC NAND Flash、SATA接口，讀寫速度分別達(dá)到65MB/s與35MB/s；REAL SSD Performance(P200)使用SLC NAND Flash、SATA 接口，讀寫速度分別達(dá)到250MB/s與250MB/s，產(chǎn)品兼具有輕量與節(jié)能的功能?；趯?duì)市場的高度期望，美光已展開積極布局。

雖然IM Flash 陣營目前已宣示將于4Q08投產(chǎn)34nm NAND Flash，但其它NAND Flash大廠針對(duì)未來Flash技術(shù)與產(chǎn)品也分別提出規(guī)劃，Samsung將于2H08投入51nm 3-bit/cell MLC的生產(chǎn)，并于2H09由42nm提升到3Xnm制程技術(shù)來生產(chǎn)MLC或TANOS的Data FLASH；Toshiba & SanDisk陣營預(yù)計(jì)于1H09將會(huì)開始生產(chǎn)43nm 3-bit/cell MLC NAND Flash，并于2H09由43nm提升到3X nm NAND Flash的制程技術(shù)；而Hynix & Numonyx陣營則將于1H09由48nm提升到41nm的制程技術(shù)來生產(chǎn)NAND Flash，同時(shí)Hynix也將于2H08投入48nm 3-bit/cell MLC的生產(chǎn)，因此未來將形成Flash技術(shù)上的良性競爭，為業(yè)界帶來更多的創(chuàng)新成果。