DRAM廠未有減產(chǎn)共識(shí)下，2008年的競(jìng)爭(zhēng)模式將從淘汰賽轉(zhuǎn)為延長(zhǎng)賽

自2005年DRAM廠展開(kāi)擴(kuò)廠的序幕后，2006年間各家DRAM廠因?yàn)轭w粒價(jià)格的上漲而享受到豐厚的果實(shí)，然而快速擴(kuò)張的同時(shí)也伴隨著供過(guò)于求的隱憂，再者DRAM廠本身對(duì)于VISTA的需求過(guò)于樂(lè)觀，更種下了2007年至今DRAM價(jià)格快速下滑趨近于崩盤(pán)的結(jié)果。

根據(jù)集邦科技以目前現(xiàn)金持有狀況與各DRAM廠的營(yíng)業(yè)利益做比較分析，由于2006年DRAM市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，DRAM價(jià)格上揚(yáng)，讓DRAM各大廠商大量投入資金擴(kuò)產(chǎn)，不到一年的光景，2007年DRAM價(jià)格的下滑速度卻超乎預(yù)期，營(yíng)業(yè)利益快速惡化的情形下，部份制程轉(zhuǎn)換落后，成本結(jié)構(gòu)相對(duì)弱勢(shì)的廠商，甚至出現(xiàn)了嚴(yán)重的虧損。擴(kuò)產(chǎn)所支出的資金加上虧損帶來(lái)的壓力，現(xiàn)金持續(xù)下降，部份廠商也因?yàn)橘Y金壓力，將短期投資轉(zhuǎn)換為現(xiàn)金，或是利用八吋廠賣(mài)出再租回的方式，增加現(xiàn)金籌碼。整體而言，在2007年第四季連成本結(jié)構(gòu)良好的DRAM廠商都出現(xiàn)虧損，手上現(xiàn)金燃燒速度過(guò)快，也讓原本欲趁此時(shí)機(jī)搶攻市占率的廠商，都感受到資金壓力，轉(zhuǎn)而在2008年降低資本支出，想辦法拉高DRAM的獲利，降低虧損。

即使如此，各大DRAM廠仍抵擋不住的毛利被嚴(yán)重的侵蝕，甚至顆粒價(jià)格逼近了變動(dòng)成本，加上宣布減產(chǎn)即是退出市場(chǎng)的基本思維下，至今未見(jiàn)任何一家宣布減產(chǎn)，再者，更有部份的DRAM廠認(rèn)為最壞的時(shí)代即是最好的機(jī)會(huì)，不畏懼價(jià)格下跌的壓力，仍然依照原訂計(jì)劃持續(xù)擴(kuò)廠與增加產(chǎn)出，試圖以自身的經(jīng)濟(jì)規(guī)模強(qiáng)占市場(chǎng)占有率并逼退體質(zhì)不好的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，殊不知縱使是體質(zhì)不好的對(duì)手，為了生存也可展現(xiàn)強(qiáng)勁的生命力，也絕不輕言放棄，這些DRAM廠也許手上的現(xiàn)金不如一線大廠，但仍可以透過(guò)延緩擴(kuò)廠、歲修、人事管控甚至破產(chǎn)保護(hù)來(lái)延長(zhǎng)其企業(yè)壽命，當(dāng)初一線的DRAM大廠所打的如意算盤(pán)已不像當(dāng)初所預(yù)估的一樣，利用賽局理論(Game theory)以自身優(yōu)勢(shì)逼退其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，如果這樣持續(xù)下去也將意味2008年DRAM廠間的戰(zhàn)爭(zhēng)將從淘汰賽轉(zhuǎn)型為延長(zhǎng)賽，屆時(shí)一線DRAM廠不光無(wú)法逼退較為弱勢(shì)的對(duì)手，自身也將承受營(yíng)運(yùn)上極大的壓力，以目前的態(tài)勢(shì)來(lái)分析，唯有前幾大DRAM廠停止擴(kuò)廠、放慢制程升級(jí)或產(chǎn)能調(diào)整，才有機(jī)會(huì)讓DRAM價(jià)格從谷底攀升，價(jià)格回歸基本面。

4X nm制程及multi-bit/cell技術(shù)的開(kāi)發(fā)將是NAND Flash業(yè)者保持成本競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵之一

自Apple在2005年采用NAND Flash做為iPod的儲(chǔ)存組件后，NAND Flash在2006和2007年的第一季均呈現(xiàn)供給過(guò)剩的狀態(tài)，而今年第一季NAND Flash的市場(chǎng)狀況似乎還是重演過(guò)去兩年首季供給過(guò)剩的情形。這是因?yàn)镹AND Flash的四個(gè)主要應(yīng)用：手機(jī)、數(shù)位相機(jī)、隨身碟和MP3/PMP第一季的出貨量明顯較第四季減少許多，加上各主要供貨商的12吋Fab廠產(chǎn)能持續(xù)開(kāi)出，因此造成最近幾年NAND Flash市場(chǎng)在第一季常會(huì)出現(xiàn)供過(guò)于求的季節(jié)性現(xiàn)象。

在整體市場(chǎng)處于供給過(guò)剩的情況下，供貨商往往透過(guò)一些方法來(lái)調(diào)節(jié)手上的存貨，使市場(chǎng)價(jià)格緩和往下修正，如此也使廠商本身不致于在供過(guò)于求的市況時(shí)喪失太多的獲利能力。然而，上游廠商真正維持競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵還是在于如何加快NAND Flash 4Xnm & 3Xnm制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)速度，而開(kāi)發(fā)3 bit per cell與4 bit per cell的FG(floating gate)或CT(charge trap)型的Data Flash芯片生產(chǎn)技術(shù)也是降低生產(chǎn)成本的方法之一。按照各主要供貨商對(duì)外發(fā)布的新聞稿和內(nèi)部預(yù)4x奈米以下制程的投片生產(chǎn)時(shí)間表來(lái)看，目前Toshiba/SanDisk陣營(yíng)仍舊領(lǐng)先其它業(yè)者。

按照Toshiba/SanDisk先前對(duì)外發(fā)布的數(shù)據(jù)來(lái)看，使用43奈米制程生產(chǎn)的16Gb MLC的芯片面積只有120mm2，將比目前56奈米制程生產(chǎn)的16Gb MLC的芯片面積減少30%左右。這意味著新制程可以使NAND Flash顆粒的單位生產(chǎn)成本下降，增加廠商的獲利能力。

3-bit/cell & 4-bit/cell技術(shù)主要是增加NAND Flash內(nèi)部每個(gè)cell的bit儲(chǔ)存量；雖然會(huì)因此降低部份性能，但也降低NAND Flash的單位生產(chǎn)成本，可從目前2-bit/cell MLC型芯片的單位生產(chǎn)成本比SLC型低，但性能也較差得到證明。因此集邦科技認(rèn)為未來(lái)幾季內(nèi)其它NAND Flash業(yè)者也將陸續(xù)推出FG 或CT 型的4X & 3X nm制程和3-bit/cell & 4-bit/cell技術(shù)生產(chǎn)的產(chǎn)品，以維持市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)能力。

三月下旬NAND Flash 合約價(jià)簡(jiǎn)評(píng)

3月下旬NAND Flash 合約價(jià)在1Q08傳統(tǒng)淡季效應(yīng)、市場(chǎng)供過(guò)于求以及廠商季底結(jié)帳促銷(xiāo)等諸多因素綜合影響下，價(jià)格呈現(xiàn)下跌約0-15%的狀況。 其中，SLC 的跌幅相對(duì)MLC大，主因?yàn)镸LC 4Q07以來(lái)的跌幅比SLC 大，所以SLC 有呈現(xiàn)落后補(bǔ)跌的狀況。展望2Q08隨著廠商供給成長(zhǎng)將放緩，加上需求也可望逐漸回溫，將使得市場(chǎng)供需缺口縮小，因此我們也預(yù)期2Q08 NAND Flash合約價(jià)將有機(jī)會(huì)逐漸止跌走穩(wěn)。

NAND Flash上周現(xiàn)貨價(jià)格回顧

DRAMeXchange將3/24和3/17的各容量的NAND Flash顆?，F(xiàn)貨收盤(pán)價(jià)做一比較：1Gb SLC的價(jià)格從1.81下滑至1.78美元，跌幅1.7%；2Gb SLC從2.68下滑至2.6美元，跌幅3.0%；4Gb SLC從4.06下滑至3.69美元，跌幅9.1%；4Gb MLC的價(jià)格維持在1.90美元，漲跌幅0%；8Gb SLC從7.9下滑至7.31美元，跌幅為7.5%；8Gb MLC的價(jià)格從2.58微幅下滑至2.52美元，跌幅為2.3%；16Gb SLC價(jià)格從18.51下滑至16.69美元，跌幅為9.8%；16Gb MLC的價(jià)格從5.05下跌至4.91美元，跌幅2.8%；32Gb MLC從11.22下跌至10.93美元，跌幅2.6%。