DDR2 ett現(xiàn)貨價(jià)格跌破一美元并持續(xù)下探，第三季DRAM廠(chǎng)營(yíng)收排名已經(jīng)出爐，唯海力士最為亮眼

如DRAMeXchange所預(yù)測(cè)，上星期DDR2 ett現(xiàn)貨價(jià)格正式跌破1.0美元，DDR2 512Mb eTT價(jià)格從11/05的1.03美元下滑至11/12以0.95美元成交，跌幅約7.7%，而品牌顆粒的價(jià)格方面，現(xiàn)貨價(jià)格從11/05的1.13美元也滑落至11/12 以1.06美元成交，跌幅約6.1%，就市場(chǎng)面分析，主要是現(xiàn)貨市場(chǎng)中的低價(jià)原廠(chǎng)模塊的效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵中，導(dǎo)致DDR2 ett現(xiàn)貨價(jià)格受到影響，再加上整體需求不好與市場(chǎng)庫(kù)存水位仍高，DDR2 eTT顆粒價(jià)格將可能持續(xù)下探并跌破0.9美元關(guān)卡的目前價(jià)位。

2007年第三季DRAM廠(chǎng)營(yíng)排名出爐，全球DRAM品牌廠(chǎng)商銷(xiāo)售額較第二季成長(zhǎng)3.6%(Figure-3)。主要來(lái)自第三季的位成長(zhǎng)率9%，而DRAM ASP漲跌幅度依各家產(chǎn)品組合不同而異。第三季DDR2合約價(jià)呈微幅上漲，但現(xiàn)貨價(jià)則下跌約9%。整體而言，由于第一季及第二季DRAM價(jià)格持續(xù)下跌，以及八月初三星NAND Flash廠(chǎng)房失火意外，韓系廠(chǎng)商均有提高轉(zhuǎn)往NAND Flash的產(chǎn)能，而使第三季的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)僅達(dá)9%，較第二季成長(zhǎng)23%較緩，但第三季DRAM ASP走穩(wěn)，不若第二季ASP下跌40% QoQ，銷(xiāo)售額下跌24.4%。然而今年DRAM位成長(zhǎng)，DRAMeXchange預(yù)估仍高達(dá)90%，DRAM下半年仍處于供過(guò)于求的價(jià)格下降趨勢(shì)。

以各區(qū)域的DRAM品牌廠(chǎng)商銷(xiāo)售額排名(Figure-2)，韓系廠(chǎng)商市占率達(dá)49.6%，市占率相較今年第二季攀升。其次為臺(tái)系廠(chǎng)商市占率13.1%，相較第二季的13.6%略為下滑，主要原因是臺(tái)系廠(chǎng)商銷(xiāo)售eTT顆粒比例較高，以DDR2 eTT顆粒為例，第三季的平均單價(jià)比第二季下滑了約7%，是為造成臺(tái)系廠(chǎng)商銷(xiāo)售額的市占率略為降低的主因。

若依個(gè)別公司今年第三季的自有品牌DRAM銷(xiāo)售額成長(zhǎng)幅度觀察(Figure-3)，各家成長(zhǎng)率互有增減，但以海力士第三季的營(yíng)收最為突出，營(yíng)收成長(zhǎng)率達(dá)15.4%，主要原因是第三季的出貨量與第二季相比成長(zhǎng)約17%，且DRAM合約價(jià)格，第三季的平均單價(jià)成長(zhǎng)3%。在制程方面，第三季海力士在70nm比例也拉高至15%。

而以各策略聯(lián)盟廠(chǎng)商市占率(Figure-4)觀察，今年第三季海力士快速成長(zhǎng)下，市占率逼近三星。但整體上，DRAM廠(chǎng)市占率排名不變。雖現(xiàn)在DRAM價(jià)格已遠(yuǎn)低于DRAM廠(chǎng)商成本，DRAM廠(chǎng)虧損加劇。市場(chǎng)期待DRAM廠(chǎng)能迅速減產(chǎn)，以使價(jià)格回復(fù)成本以上。但在DRAM廠(chǎng)立場(chǎng)而言，一旦減產(chǎn)，等同宣告在這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中提前削弱自己的戰(zhàn)力。因此DRAM廠(chǎng)必需更加努力拉高新制程比例及良率，以求成本進(jìn)一步下降。而DRAM供過(guò)于求的情況恐怕持續(xù)至明年第二季。

1GB Micro SD 晶粒原料缺貨漸獲紓解；十一月上旬NAND Flash合約價(jià)小跌0~5%

過(guò)去數(shù)月下游記憶卡業(yè)者在生產(chǎn)1GB的microSD上一直面臨原料不足的窘境，主要是因?yàn)樯嫌喂┴浬痰?X奈米8Gb晶圓產(chǎn)出有限，但隨著供貨商制程良率的不斷改善，DRAMeXchange預(yù)計(jì)今年底前這個(gè)缺貨問(wèn)題將可逐漸獲得紓解。原本下游記憶卡業(yè)者生產(chǎn)1GB的microSD是用兩顆6X奈米的4Gb芯片堆棧封裝，但隨著上游供貨商的制程能力提升到5X奈米后，記憶卡業(yè)者可以只用一顆5X奈米的8Gb芯片封裝，這在生產(chǎn)1GB microSD上有相對(duì)的成本優(yōu)勢(shì)存在。但是，上游供貨商初期在生產(chǎn)5X奈米的8Gb芯片時(shí)面臨改善生產(chǎn)良率的問(wèn)題，因此過(guò)去數(shù)月下游記憶卡業(yè)者普遍都有拿貨不足的狀況發(fā)生。隨著供貨商5X奈米8Gb良率問(wèn)題已逐漸解決，記憶卡業(yè)者將較能滿(mǎn)足手機(jī)用戶(hù)在旺季對(duì)1GB microSD的強(qiáng)勁需求,使其在旺季的業(yè)績(jī)也將因此而受惠提升。

11月上旬 NAND Flash合約價(jià)除了4 Gb  MLC以外，其它規(guī)格大致的跌幅約為0~5%，已經(jīng)比9-10月份的合約價(jià)格跌幅明顯縮小。主要是因?yàn)橄掠慰蛻?hù)在10月已陸續(xù)進(jìn)行降低庫(kù)存的動(dòng)作，市場(chǎng)預(yù)期下游客戶(hù)在11月中旬要開(kāi)始準(zhǔn)備年底旺季的備貨需求，所以NAND Flash價(jià)格走勢(shì)在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象了。目前隨著NAND Flash供貨商5X nm制程產(chǎn)品的供應(yīng)量提高后，下游客戶(hù)采購(gòu)顆粒也已轉(zhuǎn)向8Gb & 16Gb MLC為主。因此，TSOP 4G MLC顆粒此次的跌幅約為11%比起其它規(guī)格來(lái)得大。由于9月初以來(lái)NAND Flash價(jià)格的連續(xù)下跌幅度已大，因此預(yù)期NAND Flash合約價(jià)短期可望在年終假期銷(xiāo)售旺季前的需求支持下會(huì)比較平穩(wěn)點(diǎn) 。

最后，DRAMeXchange將11/5和11/12的各容量的NAND Flash顆?，F(xiàn)貨收盤(pán)價(jià)做一比較：1Gb SLC的價(jià)位從3.62美元小幅下滑至3.55美元，跌幅為1.9%；2Gb SLC從4.82下跌至4.73美元，跌幅1.9%；4Gb SLC從6.83小幅上升至6.85美元，漲幅0.3%；4Gb MLC從4.32下滑至4.23美元，跌幅2.1.%；8Gb SLC則從13.91上漲至14.18美元，漲幅為1.9%；8Gb MLC的價(jià)格從5.37 下跌至5.12，跌幅為4.7%；16Gb SLC則從27.7上漲至28.88美元，漲幅為4.3%；16Gb MLC從10.41微幅上升至10.44美元，漲幅0.3%；32Gb MLC從21.25微幅上升至21.37美元，漲幅0.6%。