上周DDR2 eTT供給量減少，現(xiàn)貨價格呈現(xiàn)短期反彈走勢

上周現(xiàn)貨市場eTT顆粒呈現(xiàn)近幾周少見的急漲局面，DDR2 512Mb eTT價格從10/15的1.03美元起漲至10/22 1.17美金成交，漲幅約11.9%.。相較之下，品牌顆粒則仍呈現(xiàn)平穩(wěn)走勢，在eTT強勁的漲勢下，僅上漲1.4%。就市場人士的觀察，上周DDR2 eTT的強勁漲勢，除了因為eTT主要的供貨商進行70奈米轉(zhuǎn)進，致使供給量減少，一些買主看準(zhǔn)時機，逢低買進，拉抬買氣，帶動價格上揚。因此此波價格上揚主要是短期市場操作結(jié)果，而非市場終端需求帶動。而此波投機性買盤主要集中在DDR2 eTT的顆粒，因此并沒有帶動品牌顆粒價格同步上漲。市場人士認為，在接下幾周，DDR2 eTT的供給將會大量開出，DDR2 eTT也會再回探1美元。在DDR 512Mb方面，因為需求量仍屬平穩(wěn)的狀況下，均價在10/22以2.51美元做收，下跌5.9%。

在模塊廠方面，因為受到上周價格上漲的影響，歐美地區(qū)有補貨的需求出現(xiàn)，但中國大陸地區(qū)因為十七大與嚴(yán)打走私的關(guān)系，整個需求仍顯疲弱，模塊廠庫存水位仍高，減輕庫存仍是當(dāng)務(wù)之急，雖說十月是PC出貨旺季，但由于十月是DELL及 HP的年底結(jié)帳月，兩家系統(tǒng)大廠均傾向?qū)⒘憬M件庫存降低，尤其是價格趨勢下滑的DRAM。十月上旬DDR2 UDIMM/SODIMM模塊合約價已經(jīng)下降20%，仍難以刺激合約市場買氣，以致十月下旬DDR2 UDIMM/SODIMM模塊合約價繼續(xù)下降10%。在合約價持續(xù)走低下，的確刺激DRAM搭載率提升。在消費型筆記本計算機中，2GB比率已近60%。若價格持續(xù)下降，年底有機會增加至70%-80%。然而在DRAM廠尚未有明顯減產(chǎn)動作下，未來兩季的DRAM價格仍籠罩在低于成本的陰影下。

以DRAM廠的成本分析來說，目前70nm制程轉(zhuǎn)進領(lǐng)先的Elpida、Samsung與 Hynix 僅約20%產(chǎn)出在70nm 1Gb，而即使未來70nm 良率高，產(chǎn)能滿載下，1Gb顆粒的總成本(含折舊、封測)最低也要2.7-3.0美元。512Mb顆粒價格也要1.7-1.9美元。目前，據(jù)DRAMeXchange 的分析師指出，2008年12吋的產(chǎn)能擴張已減緩，再加上8吋去化的產(chǎn)能，DRAM 2008年的供給位成長率將由今年的93%降至近50%。然而在DRAM需求方面，由于今年底消費型筆記本計算機及臺式機2GB的搭載率將高達七成及六成以上，明年需求成長力道將倚頼商務(wù)型筆記本計算機。整體而言，若DRAM廠沒有減產(chǎn)的動作，明年DRAM市場仍可能處在供過于求的狀況。

業(yè)者展示閃存在手機及PC儲存的應(yīng)用方案

10月19日三星在臺北舉辦第五屆Flash Day活動，會場中三星不但展示各種Flash相關(guān)應(yīng)用的解決方案，也透過舉辦研討會的方式將三星如何樂觀看待整體NAND Flash市場的未來發(fā)展傳達給與會人士。參與這次Flash Day活動的人士多半為中國臺灣三星下游客戶，另外有部分NAND Flash相關(guān)應(yīng)用的廠商出席。

三星在這次Flash Day的研討會中，主要以NAND Flash在各種行動裝置上的應(yīng)用和其在筆記本計算機上作為主要儲存媒介的發(fā)展?fàn)顩r作為重點。我們知道目前記憶卡和隨身碟占NAND Flash整體市場需求的三分之二強，但在各種行動裝置越來越朝向體積輕薄短小和功能多樣化之后，將Flash和各種不同內(nèi)存與邏輯產(chǎn)品封裝成一顆IC放入行動裝置的需求將會開始增加，因此三星這次特別展示其OneNAND和moviNAND產(chǎn)品的功能特色對行動裝置運作效能的幫助，也透露某些廠商的高階智能型手機、數(shù)字相機、GPS導(dǎo)航裝置和MP3/PMP等均已開始采用這些內(nèi)建式的NAND Flash產(chǎn)品。

另一方面，在NAND Flash制程持續(xù)不斷地微縮帶來制造成本長期向下的條件下，三星亦十分看好SSD往后數(shù)年在筆記本計算機上被采用的情況。會場中，三星亦展示數(shù)款2.5吋和1.8吋儲存容量32GB與64GB的SSD產(chǎn)品，目前已有部分的日系和美系NB業(yè)者開始采用這些產(chǎn)品。DRAMeXchange認為隨著NAND Flash制程在2H08將進入4Xnm階段和其后更先進的3Xnm制程的出現(xiàn)，將使各種應(yīng)用產(chǎn)品使用NAND Flash的容量持續(xù)擴增，這對整體NAND Flash產(chǎn)業(yè)的后續(xù)發(fā)展將具有正面幫助的意義。

另外10月15-16日Intel IDF 臺北論壇也展示了他們對NAND Flash在PC應(yīng)用上的新構(gòu)想如：將來計劃推出NAND Flash DIMM connectors來應(yīng)用到在NB PC & DT PC上，以及推出傳輸速度更快的3Gbps SATA SSD & 更高速的ONFI 2.0 (~133MB/s per channel) 傳輸接口，預(yù)計未來對NAND Flash在提升PC性能及效率的應(yīng)用上將有更好的推廣效益。

最后，DRAMeXchange將10/15和10/22的各容量的NAND Flash顆?，F(xiàn)貨收盤價做一比較：1Gb SLC的價位從3.65美元小幅下滑至3.59美元，跌幅為1.6%；2Gb SLC從5.56下跌至5.26美元，跌幅5.4%；4Gb SLC從7.87下滑至7.15美元，跌幅9.1%；4Gb MLC從5.19下跌至4.65美元，跌幅10.4%；8Gb SLC則從15.38下跌至13.85美元，跌幅為9.9%；8Gb MLC從5.13下滑至4.66美元，跌幅9.2%；16Gb SLC則從29.06下跌至27.83美元，跌幅為4.2%；16Gb MLC從11.64下滑至10.44美元，跌幅10.3%；32Gb MLC從25.41小跌至24.3美元，跌幅4.4%。