DDR2 eTT價格跌深反彈，然而價格是否止跌仍需視DRAM廠庫存去化狀況

爾必達(dá)于2/19宣布將把廣島的8吋廠設(shè)備出售給中芯的合作伙伴成芯半導(dǎo)體，未來將專注發(fā)展先進(jìn)制程并提高12吋晶圓的生產(chǎn)比重。由于DDR2 800MHz將于今年下半年成為主流，若8吋的DRAM廠沒有將制程轉(zhuǎn)進(jìn)90nm，DDR2 800MHz的產(chǎn)出比例將會受到限制。因此8吋廠的去化為DRAM廠今年必須要積極面對的棘手問題。

目前DRAM業(yè)者普遍將8吋廠轉(zhuǎn)為代工，或是生產(chǎn)利基型的DRAM或是FLASH等其它產(chǎn)品。但是爾必達(dá)僅一座約40K左右的8吋廠的產(chǎn)能，相對于其它DRAM廠負(fù)擔(dān)較輕。雖然現(xiàn)階段出售設(shè)備的交易金額仍未確定，但可以看出爾必達(dá)未來所發(fā)展的方向?qū)⒓杏邢拶Y源積極擴(kuò)充12吋產(chǎn)能。此外，爾必達(dá)去年底計劃與力晶合資興建12吋廠，并將今年資本支出提高至US$1,200M，種種策略無非期望能在2010年以后市占率超越三星。至于三星也未必愿意為了獲利而放棄市場主導(dǎo)者地位。因此DRAM廠商之間的12吋產(chǎn)能擴(kuò)充競賽儼然開打。

DRAM報價方面，中國農(nóng)歷年假期間現(xiàn)貨市場并沒有太多成交量，現(xiàn)貨市場的品牌顆粒價格持續(xù)下滑，DDR2 512Mb 667MHz下跌至4.21美元。然而DDR2 eTT卻逆勢上漲至3.25美元，在DRAM廠庫存水位仍偏高下，DDR2 eTT價格僅止于跌深反彈。價格是否止跌仍須視DRAM廠商于3月的庫存去化狀況。

而二月下旬DRAM合約價持續(xù)下跌，DDR2 512MB 667MHz模塊價格普遍跌破40美元，平均價格約38美元左右。換算成DDR2 512Mb 667MHz顆粒價格大約在4.38美元，使得合約價格與現(xiàn)貨市場的品牌顆粒價格相差無幾。

隨身碟 4GB以上高容量產(chǎn)品的市場逐漸成熟

隨身碟USB Flash Drive，簡稱UFD，盡管不是耗用NAND Flash產(chǎn)能的最大終端應(yīng)用，卻一直是Flash生產(chǎn)廠商不容忽視的一項產(chǎn)品。根據(jù)DRAMeXchange的觀察，2006年隨身碟的全球出貨量約在1.05億支左右。隨身碟產(chǎn)品在2006上半年以512MB和1GB兩種容量為主，但從2006年第三季開始1GB容量成為隨身碟市場的主流，到了第四季2GB的隨身碟出貨比重也開始往上快速增加。

受到近期NAND Flash價格快速下滑的影響所致，目前隨身碟的市場價格也出現(xiàn)快速往下調(diào)整的狀況。2GB的隨身碟市場售價已經(jīng)落在15至25美元之間，4GB的售價則多半在30至60美元之間。一般來說，隨身碟和記憶卡的主流容量往上提升一個等級多發(fā)生在該等級的產(chǎn)品市價低于30美元時，目前4GB隨身碟的市場最低價已經(jīng)來到30美元左右。DRAMeXchange相信最快從今年第二季開始，4GB隨身碟的市場需求就會開始逐漸顯現(xiàn)。

目前市面上同一容量的隨身碟價格有高有低，主要原因在于廠商設(shè)法為這個已經(jīng)相當(dāng)成熟的商品加入多樣化的功能所致。隨身碟原本的功用只是單純的作為儲存?zhèn)浞葙Y料之用，廠商為了吸引一般用戶可以購買自家生產(chǎn)的隨身碟，在隨身碟的外觀造型和內(nèi)在功能上都開始花心思去重新設(shè)計。有的廠商將隨身碟做成名片或一些比較討喜的外型以吸引用戶購買，也有些廠商針對比較實(shí)際的功能去設(shè)計，如：防水、指紋辨識、加密功能等。

雖然隨身碟已屬成熟市場商品，但在Vista的Ready Boost效應(yīng)帶動、隨身碟的外觀設(shè)計逐漸個人化與內(nèi)建功能持續(xù)增加的情況下，DRAMeXchange認(rèn)為2007年隨身碟的出貨成長仍有20%以上的空間，且市場會朝向4GB以上的容量發(fā)展，對NAND Flash整體產(chǎn)能的耗用有相當(dāng)程度的幫助。

最后，DRAMeXchange將2/12和2/26的NAND Flash現(xiàn)貨收盤價做一比較：1Gb從2.51下滑至2.43美元，跌幅為3.2%；2Gb從2.61下滑至2.58美元，跌幅1.1%；4Gb從3.72上漲至3.75美元，漲幅0.8%；8Gb維持在6.19美元左右，漲跌幅為0%；16Gb從12.38上漲至12.41美元，漲幅0.2%。