DXI指數(shù)上周持續(xù)反彈，價格指數(shù)由上周3030上漲至3045。指數(shù)上揚，主要反映上周DDR與DDR2于現(xiàn)貨市場小幅上漲。

現(xiàn)貨市場方面，DDR 256Mb eTT價格上周均價最高來到USD 2.01后，周五時,部分貿(mào)易商便出清庫存來獲利了結(jié)，因此價格拉回到$1.95.本周開始買盤持續(xù)走強, 今天早盤價格回漲至的2.01美元。 DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz 價格則由USD 2.02上漲至USD 2.11，比較DDR 256Mb eTT與DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz品牌顆?！，F(xiàn)在兩者價差仍在0.1美元以內(nèi)，遠低于三月底,兩者價差達0.3美元之多。根據(jù)歷史經(jīng)驗,通常DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz品牌顆?，F(xiàn)貨價格均高于DDR 256Mb eTT，當價格呈漲勢時，兩者價差會縮少， 當價格呈跌勢時，兩者價差會擴大。之前漲勢極強時，DDR 256Mb eTT價格甚至曾高于DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz。顯示當需求過高時，品牌顆粒無法滿足的需求，會轉(zhuǎn)向DDR 256Mb eTT以獲取獲利的可能性。今年一月初， DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz256Mb 與DDR eTT價格價差即幾近零。后來價格在下跌中，兩者價差擴大為0.3美元。 四月初，價格又呈現(xiàn)相差無幾的價差。

DDR 512Mb (64Mb*8) 400MHz，價格漲2.9%到USD 4.25。至于DDR2部分，同樣呈現(xiàn)漲勢。 但漲幅不若DDR.DDR2 533MHz 512Mb (64Mb*8)價格于上周由USD 4.75上漲2.9%至USD 4.89。雖然整體DRAM價格在現(xiàn)貨市場微幅上漲，但是在傳統(tǒng)PC淡季影響下，買氣并不強勁。

四月上旬合約價,持平成交居多

DRAM廠指出DDR2市場四月份供給仍吃緊，大多數(shù)的客戶接受持平的合約價。

DDR模塊在DDR2的支撐下，維持持平。另外,自一月以來，DDR2模塊價格狂漲，DDR模塊僅曾小幅上揚。兩者的價差已達24%左右。以四月上旬成交價而言， DDR512MB與DDR2512MB均價各為36.9美元及45.6美元，價差達8.7美元，近24%.三月下旬，DDR模塊價格下跌，主要因當時DDR現(xiàn)貨價下跌幅度擴大的影響。四月上旬談判時，DDR現(xiàn)貨價呈現(xiàn)不弱的漲勢，也使DRAM廠堅持維持平價。計算機系統(tǒng)大廠也指出，原本自三月下旬開始，合約價談判中均努力試圖將成交價往下談，但價格并不好談。多數(shù)得接持平，僅少數(shù)有微幅讓步，但跌幅很小。DDR2雖不再狂缺，系統(tǒng)廠商的痛苦時期已過。但對DRAM供貨端仍要跟得很緊，才能確保供貨交期及數(shù)量符合預期。

NAND Flash現(xiàn)貨價如DRAMeXchange所預測重回下跌趨勢

NAND Flash現(xiàn)貨價和DRAMeXchange在上周周報中預測的一樣，猛漲僅僅是由NAND Flash缺貨的錯覺造成的，本周價格又重陷跌落趨勢，周降幅為2-12%，月降幅為15-36%。

NAND Flash現(xiàn)貨交易量由于價格跌落趨緩而有所增加，MoM跌價率與上月相比，已經(jīng)開始放緩，因此，我們看到現(xiàn)貨市場的交易量，隨著主要來自大中國區(qū)的工廠的需求的出現(xiàn)，逐漸開始增加。而NAND Flash現(xiàn)貨市場的貿(mào)易商由于未來的價格風險依然存在以及在第一季度的降價中受到創(chuàng)擊，所以采購動作依然很謹慎，并且仍保持低庫存水平。

06年第一季度，NAND Flash芯片的需求轉(zhuǎn)移到4Gb到16Gb的顆粒，使得1Gb 和2Gb的價格遭受重落。

06年一季度NAND Flash芯片的需求從4Gb 轉(zhuǎn)至 16Gb，1Gb 和 2Gb 芯片價格遭到劇烈的下滑。按照我們對NAND Flash現(xiàn)貨市場交易的觀察，4Gb/8Gb/16Gb芯片的成交比重佔總量於06年第一季度已超過50%較去年第四季度的30%來說已大幅成長 。這顯示了NAND Flash零售市場消費使用上的容量變大，對整體NAND Flash消耗而言是個好兆頭。

1Gb 和 2Gb顆粒的跌價大幅跌價後，目前的價格水平已經(jīng)非常接近這兩顆的生產(chǎn)成本。因此，我們認為，這兩個芯片的跌價空間將很有限且下滑將放緩。然而，隨著60nm SLC 的量產(chǎn)，如果需求依然滯緩，這些顆粒的成本進而轉(zhuǎn)至更低將可能導致另一波的價格大戰(zhàn)。

由于NAND Flash的供應充足以及較高容量的顆粒需求依然疲軟，低容量的芯片價格也許將會反彈，四月的合約價依然充滿變數(shù)。

目前大多數(shù)NAND Flash供應商發(fā)布的4月合約報價看來，價格上升了10-20%。然而，自06年1季度以來渠道和模組廠雙方下游庫存高水位堆積，加上中國即將到來的勞動節(jié)長假帶來的需求有限，使得客戶采購的意愿低落。

不過，我們預測低容量NAND Flash芯片將有可能於近期出現(xiàn)反彈跡象。NAND Flash供應商由于今年第一季的客戶預期訂購量較低導致這些低容量NAND Flash芯片於06年第一季的投片量大幅減少，再加上某些成品的品管測試只有通過某些特定的顆粒，例如術(shù)位相機中所內(nèi)鍵的128Mb-256Mb NAND Flash芯片，目前看來此產(chǎn)品需求好于預期，所以我們預期在接下來的幾周中低容量NAND Flash芯片也許會出現(xiàn)缺貨的’狀況。

超微動作頻頻試圖突破英特爾防線

集結(jié)多家芯片組廠力阻英特爾獨霸市場

為力阻英特爾平臺化策略進逼，超微與繪圖芯片廠NVIDIA將攜手合推商用標準規(guī)格平臺，透過完整解決方案，搶進中小型企業(yè)市場。超微于去年9月結(jié)合芯片組及主機板廠，針對商用市場推出CSIP(Commercial Stable Image Platform)平臺穩(wěn)定計劃，而于2006年3月，CSIP將結(jié)合NVIDIA推動「Business Platform」商用平臺計劃，以超微處理器、NVIDIA芯片組為中心，向外延伸出包括管理、應用、兼容性及穩(wěn)定性等標準認證機制，為商用平臺伙伴提供標準化架構(gòu)。預估將吸引華碩、技嘉、微星及富士康等多家MB廠參與，進而拉升超微于商用DT市場的市占率。

超微CSIP平臺穩(wěn)定計劃并非首創(chuàng)，英特爾先前為強化商用市場版圖，推出名為SIPP的規(guī)格穩(wěn)定平臺計劃，之后2005年力拱平臺化策略，而改名為Business Platform，也順利拿下多數(shù)市占。而超微為搶進商用市場，跟進推出CSIP，但因本身僅有CPU產(chǎn)品，因此需結(jié)合NVIDIA、硅統(tǒng)、威盛等芯片組業(yè)者，及主機板廠通力合作，方能確保平臺規(guī)格順利推出。超微此一「反英特爾平臺化」策略計劃，在共同競爭對手不斷壯大下，自然吸引同陣線業(yè)者相挺，只是目前商用市場仍為英特爾所掌控，且技術(shù)規(guī)格門坎高，超微攜手眾家業(yè)者搶進，恐需有長期抗戰(zhàn)決心，才能有具體成效顯現(xiàn)。

挾效能優(yōu)勢端出優(yōu)惠吸引經(jīng)銷通路商加入

超微處理器的效能價格在市場上的評價已不輸英特爾，只是先前在商業(yè)通路市場未有明顯成績，因此，超微為鞏固得來不易的兩成市占率，而持續(xù)進攻英特爾盤據(jù)多年的通路市場版圖。超微針對通路市場推出「商業(yè)通路計劃」，藉由推出捆綁培訓數(shù)據(jù)、技術(shù)支持、測試機器產(chǎn)品及資金援助等服務來拉攏通路商和系統(tǒng)整合商，另外，超微也積極搶食大型標案的市場，冀望由通路市場擴展版圖。

其實英特爾已在經(jīng)銷通路耕耘多年，全線產(chǎn)品具備，對于合作伙伴也都有提供技術(shù)支持、解決方案等服務計劃，且每季辦教育訓練，提升經(jīng)銷商的專業(yè)銷售能力。因此超微此次推出商業(yè)通路計劃，僅是將其對通路市場的服務提高與英特爾相近的水平，此舉多少將給英特爾陣營帶來壓力，但是對經(jīng)銷客戶而言卻是利多消息，因超微的加入讓客戶有更多選擇，經(jīng)銷通路商可望擺脫單一廠商的箝制，而有機會讓超微有機會向兩成以上的市占推進。