DDR2 512Mb現(xiàn)貨價(jià)上周飆漲15% ;NAND Flash 低容量現(xiàn)貨短期缺貨

(2006年1月10日)新年假期結(jié)束，市場再度活絡(luò)，DRAM買家發(fā)現(xiàn)供給吃緊，而紛紛進(jìn)場搶貨。根據(jù)內(nèi)存市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange數(shù)據(jù)來源，從本月份二號(hào)到九號(hào)，DDR2 512Mb 64Mbx8 顆粒漲幅最大，最大漲幅為 15.5%，價(jià)格自3.75美元來到 4 .33美元。 DDR 256Mb eTT (UTT) 顆粒次之，漲幅到達(dá)12 .8%，價(jià)格自2.03美元來到2 .29美元。DDR 256Mb 32Mbx8 400MHz 及DDR512Mb 64Mbx8雙雙上漲10%，前者價(jià)格從2 .11美元 漲到 2 .33 美元 ;后者價(jià)格自4 .14 美元來到 4 .55 美元間。

DDR2合約市場供不應(yīng)求，在現(xiàn)貨市場需求雖増強(qiáng)，但仍低于DRAM總需求20%

整體而言，此波買氣來自于合約市場的OEM 客戶端 DDR2需求高漲，加上DRAM廠數(shù)月前減產(chǎn)DDR2，導(dǎo)致DDR2供給吃緊，而帶動(dòng)整體DRAM價(jià)格觸底反彈。DRAMeXchange DRAM市場分析師表示:「現(xiàn)貨市場方面，由于Samsung宣布無法滿足客戶DDR2的需求，因此帶動(dòng)整體市場買氣，即使是Samsung的代理商也開始在現(xiàn)貨市場收購DDR與DDR2來備庫存?！鼓壳笆袌錾陷^熱門的顆粒為三星的DDR2 (64*8) 533 、667MHz，由于DDR2合約市場供不應(yīng)求，即使DDR2在現(xiàn)貨市場需求増強(qiáng)，但其需求仍低于DRAM總需求20%，但DDR2顆粒缺貨十分火急。至于DDR雖然市場詢問度不高，但是DDR 256Mb (32M*8) 400MHz價(jià)格也隨著DDR2上漲而反彈自2 .3上漲到 2.55美元。而UTT(ETT)部分，DRAMeXchange進(jìn)一步指出:「雖然力晶第二座12吋FAB廠產(chǎn)能仍往上增加，但是基于與爾必達(dá)ELPIDA共享產(chǎn)能之協(xié)定，力晶的UTT近期在現(xiàn)貨市場供給相對(duì)有限。」其價(jià)格也由2.05美元上漲至2.29美元。近期隨著臺(tái)幣的升值，使得賣方提高DRAM報(bào)價(jià)以避免損失，此現(xiàn)象亦激勵(lì)DRAM 現(xiàn)貨價(jià)朝2.5美元大步邁進(jìn)。

DDR2供給吃緊，帶動(dòng)一月上旬合約價(jià)DDR/DDR2 同步調(diào)漲2到3個(gè)百分點(diǎn)

DRAM合約市場部分，合約價(jià)約十二月下旬正式止跌，一月上旬在延續(xù)圣誕節(jié)及中國農(nóng)歷年需求下，DDR及DDR2 同步上漲2%到3%。在十二月份時(shí)，有些廠商上旬針對(duì)特定客戶祭出破盤價(jià)的特殊價(jià)格，目前也一并回到市場平均價(jià)。其個(gè)別的漲幅，甚至達(dá)到5%。DRAM價(jià)格在淡季中止跌回升的原因，DRAMeXchange市場分析師透露除了DDR2實(shí)際需求，也因?yàn)橹癐NTEL 的芯片組缺貨導(dǎo)致成長遞延至十二月。去年九月DDR2 價(jià)格大跌后，許多DRAM廠更積極將8吋廠以及12吋廠DRAM 產(chǎn)能調(diào)整轉(zhuǎn)往NAND Flash，SAMSUNG此舉最為顯著，也使得Samsung DRAM總產(chǎn)出，特別是DDR2 在十二月明顯下降，而無法滿足市場在DDR2成長的需求。

現(xiàn)貨市場DDR2 呈現(xiàn)短缺而漲聲四起

目前DDR2 在現(xiàn)貨市場的需求比例仍遠(yuǎn)低于合約市場，但是大部份的DDR2產(chǎn)能均被OEM客戶訂走，導(dǎo)致現(xiàn)貨市場DDR2呈現(xiàn)短缺現(xiàn)象而漲聲四起。根據(jù)DRAMeXchange的調(diào)查，目前各大模塊廠的DDR2 模塊出貨量約占其總DRAM 模塊出貨量10% - 20%。而模塊廠的消息來源顯示:去年九月至十月份買NAND FLASH，必須搭配DDR2銷售的策略在十一、十二月已不復(fù)見。而DRAM各廠其DDR2 存貨業(yè)已消化完畢，預(yù)計(jì)目前DDR2短缺，至少持續(xù)至二月底。因?yàn)镈RAM廠即使現(xiàn)在調(diào)高DDR2的投片量也必須等到三月才有產(chǎn)出。DRAMeXchange也預(yù)測(cè)在DRAM廠及通路商DDR2庫存水位偏低的情況下，DDR2價(jià)格走勢(shì)預(yù)期相對(duì)DDR來得強(qiáng)勁。

制程轉(zhuǎn)換順利與否將為影響第二季的DRAM價(jià)格的關(guān)鍵因素

展望2006年第一季的價(jià)格走勢(shì)，需求可持續(xù)至一月底，由于二月份在工作日天數(shù)為28天，DRAM廠的總產(chǎn)出也會(huì)受限，預(yù)計(jì)在中國農(nóng)歷年過后將會(huì)有在次補(bǔ)貨需求，此現(xiàn)象二月價(jià)格仍有支撐。至于三月以后，供給順暢與否將是主要關(guān)鍵。 DRAMeXchange相信DRAM廠仍將持續(xù)往90nm微米轉(zhuǎn)進(jìn)，但是制程轉(zhuǎn)換順利與否將為影響第二季的DRAM價(jià)格的關(guān)鍵因素。

Flash生產(chǎn)廠商紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)往高容量產(chǎn)品生產(chǎn) 1Gb跟2Gb短期市場供貨量減少

目前Flash現(xiàn)貨市場出現(xiàn)一種特異情形，就是低容量的1Gb跟2Gb的市場詢問需求度高，但是高容量的4Gb以及8Gb反而市場上買家感興趣不高。推究其原因，DRAMeXchange指出主要是因?yàn)楦骷疑a(chǎn)廠商紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)往高容量產(chǎn)品生產(chǎn)，導(dǎo)致市場供貨量減少，而此現(xiàn)象短期內(nèi)難以抒解。

近日有海內(nèi)外有大篇幅報(bào)導(dǎo)指出蘋果計(jì)算機(jī)（Apple）即將在本月中旬發(fā)表新款NB，內(nèi)部即是采用NAND型Flash做為儲(chǔ)存裝置，若此項(xiàng)傳聞能夠獲得證實(shí)，對(duì)于NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)將會(huì)出現(xiàn)一個(gè)強(qiáng)大支撐，以過去蘋果計(jì)算機(jī)推出iPod產(chǎn)品時(shí)便可以看出端倪；如蘋果計(jì)算機(jī)推出iPod NANO產(chǎn)品，市場對(duì)于該款新品接受度水漲船高，導(dǎo)致當(dāng)時(shí)候NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)格出現(xiàn)一波漲勢(shì)，分析師也表示蘋果計(jì)算機(jī)為確保供貨無虞，也紛紛與各大NAND Flash供貨商簽署長期供貨合約。