DRAM 現貨價持平及微幅上揚

在圣誕節(jié)和新年假期間, DRAM現貨市場交易逐漸趨緩。大多數的買賣雙方對價格的走勢保持觀望的態(tài)度, 等待年后更明確的價格走勢。 DDR 256Mb 400MHz價格維持在2.11 美元和DDR 512Mb 64Mbx 8 400MH價格從4.13 美元上揚至4.14 美元。 DDR 256Mb eTT(UTT) 價格則是微幅上揚, 從2.01 美元到2.03 美元。主要廠牌DDR2 512Mb 及 白牌 DDR2 512Mb價格皆為上揚的走勢, 前者由3.73 美元上揚至3.77 美元, 后者則是由3.04 美元上揚至3.11 美元。

DRAM 制造商欲調高一月上旬合約價約3至5個百分點

在2005年12月及2006年1月DRAM需求比預期強勁的激勵下,大多數DRAM制造商已經宣布他們目標將提高DDR和DDR2 上旬合約價約在3至5個百分點。

根據DARM制造者的說法,自去年十一月開始,DRAM的制造商已減產DDR2,在龐大的DRAM的采購量下,DDR2 開始有缺貨的強況發(fā)生, 同時,DDR的供應情況也相當的吃緊。然而,從2005年十二月下旬開始,隨著Intel 芯片組缺貨的情況逐漸抒解,DRAM的需求則仍保持強勁。 其它造成需求強勁的因素為 (1)圣誕節(jié)需求效應延長(2) 亞洲市場的成長擴大了中國農歷年的需求。(3) 就PC OEMs 的角度來看,自2005年9月價格開始下跌以來,整個9月到11月,他們并沒有維持高存貨水平,因此,DRAM的采購量并沒有因為以往大幅調降十二月的存貨而減少。

我們相信上揚的DRAM現貨價將會維持至農歷年前,而二月后的需求是否強勁將是DRAM現貨價表現的關鍵。

年度結帳促使4Gb and 8Gb NAND Flash現貨價下跌三至四個百分點

上周是2005年最后一周,所以NAND Flash 制造廠商與其客戶在年度做帳下,將更多的庫存倒入現貨市場, 促使價格下跌。整體來說,價格方面,高容量的跌幅比低容量部分來的顯著。

NAND Flash 1Gb，2Gb，4Gb，8Gb與16Gb的價格，在2006年1月2日漲跌幅分別為1％，2％，4％，3％與1％，來到7.54，15.13，25.06，42.72，71.2美元。

本周NAND Flash現貨市場里,首部份的需求來自于中國市場,因應即將來臨的中國新年對于低價1Gb與2Gb現貨的需求。然而,目前NAND Flash的制造廠將主力放在滿足大量OEM廠商對高容量的需求,因此現貨市場上采TSOP封裝的1Gb及2Gb顆粒相對供不應求。128MB與256MB的零售價格目前大約分別是10-11與15-16美元,導致現貨市場里的買家無法選擇,只能尋求價格更低的部分。在低價顆粒供應方面,為了滿足買家的低價目標,市場出現了白牌的2Gb顆粒.