DRAM 的買家發(fā)現(xiàn)最近現(xiàn)貨市場上DRAM供給情況開始吃緊, 因此刺激了DRAM的買氣, 特別是eTT (UTT)顆粒以及Hynix 512Mb 64Mbx8. 自十二月初開始, 主要eTT(UTT)供貨商停止以$1.85的低價銷售, 因此, 許多模塊廠商及DRAM買家紛紛的在現(xiàn)貨市場上搜購僅剩低于$1.85的eTT (UTT)顆粒, 該價格也因而水漲船高.

12/14 至 12/20 DDR 32Mbx8 400MHz 的價格從$2.0 上漲至 $2.11. DDR 512Mb 64Mbx8 則是從$3.85上漲至$4.16. 而上周DDR eTT 256Mb 的價格走勢則是有著最強勁的上漲力道, 從$1.86上漲至$2.02, 而DRAM買家也開始對DDR2開始感到興趣,使得DDR2 512Mb NMB, 價格止穩(wěn)在$3.03, DDR2 主要廠牌的顆粒則是維持在$3.72

從十二月初開始, 圣誕節(jié)前夕的訂單大大的帶動了整體現(xiàn)貨市場上DRAM的需求. 然而, 隨著DRAM 的價格下跌太快及大多數(shù)的DRAM 制造商不愿意以過低的價格供貨并宣稱價格已達其所能接受的底限, 供給因此而逐漸的吃緊. 12/7 至 12/13 主要DRAM 顆粒的價格并沒有太大的改變, 隨著需求逐漸浮現(xiàn), 模塊廠商開始盡可能的搜貨. 上周DRAM價格不跌反漲, 許多通路商由于投機性的需求而不愿意將手中持有的現(xiàn)貨銷售出去, 在12/16當日, 價格因此而達到了高峰.

在DDR的價格上漲的鼓勵之下, 三星也嘗試著提高SDRAM顆粒的價格, 包括 SDRAM 1Mx16, 4Mx16 及 8Mx16. 然而, SDRAM的需求并沒有浮現(xiàn)且交易情況也轉(zhuǎn)為平淡.最終的成交價維持不變.

增大的16Gb NAND Flash供給與萎靡的需求使得現(xiàn)貨價格下跌五個百分點

整體而言, 這星期的NAND Flash 現(xiàn)貨價格仍是下跌的走勢, 相較于上個星期, 低容量顆粒的價格下跌速度已趨緩, 高容量顆粒特別是 16Gb的價格, 下跌幅度則是有擴大的情況., 1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb,16Gb NAND Flash 現(xiàn)貨價于12/19當天分別以 $7.54, $14.76, $25.98, $44 and $74.56收盤較上周下跌2%, 1%, 1%, 2%, 5%,.

目前的需求仍是源自于記憶卡制造商。這星期因低容量1Gb至4Gb NAND FLASH的價格連續(xù)下跌而促使制造工廠在現(xiàn)貨市場集中搜貨來制造圣誕節(jié)前的最后幾批訂單。然而現(xiàn)貨價格卻跟隨增加的需求升高，但是需求會被上揚的價格立即嚇跑，最后現(xiàn)貨價格又會下跌以刺激買氣。

這星期16Gb顆粒的價格跌的最慘，原因是最近16Gb的供給量大幅增加但是需求卻沒有，因而導(dǎo)致價格跌落至74.56美元。這個價格已經(jīng)低于小型客戶的合約價，而趨近于中型客戶的。因為現(xiàn)貨價已跌破一些客戶的合約價導(dǎo)致16Gb NAND Flash變成本周現(xiàn)貨市場上不受歡迎的貨