DRAM/NAND Flash 現(xiàn)貨市場最新報(bào)告：

2005年10月4日到10月11日，DXI指數(shù)從3046.31下降33.49點(diǎn)，到3012.82，降幅達(dá)33.49個(gè)點(diǎn)。上周，由于需求不振，DRAM成交價(jià)在小范圍內(nèi)浮動。DRAM現(xiàn)貨市場由于交易范圍小，主流顆粒256Mb（32Mbx8）DDR 400MHz的價(jià)格從2.57美元微跌到2.55美元，256Mb eTT顆粒從2.25美元降至2.22美元，512Mb（64Mbx8）從5.51美元降到5.47美元，而DDR2 512Mb也從5.07美元下跌到5.02美元。

在韓國和中國，因貿(mào)易商對疲軟的價(jià)格和本月初的國慶長假很謹(jǐn)慎，所以現(xiàn)貨市場交易不多。在歐洲，買家從芯片供應(yīng)商那里成功獲得低價(jià)顆粒。

NAND Flash方面，由于市場供應(yīng)緊缺，現(xiàn)貨市場持續(xù)上揚(yáng)，但交易量有限。1Gb、2Gb、4Gb和8Gb的芯片價(jià)格如下：1Gb從6.9美金增長3.45%，為7.14美金；2Gb從11.77美金增長8.6%，到12.79美金；4Gb從23.89美金增長9.1%后，為26.09美金；而8Gb也有5.16%的漲幅，從50.91美金上漲到53、54美金。

DRAM合約市場最新報(bào)告：

目前，供應(yīng)商產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR2，依然是超前于終端市場的實(shí)際需求的。相反地，DDR供應(yīng)持續(xù)緊缺。結(jié)果，DDR合約價(jià)在8月下旬和9月上旬保持平穩(wěn)，而DDR2價(jià)格卻下跌。然而，盡管DDR需求依然不錯(cuò)，但卻因DDR2疲軟的價(jià)格，致使十月上旬DDR合約價(jià)有所下滑。買家期望縮小DDR和DDR2的價(jià)差。

DRAM九月生產(chǎn)量最新報(bào)告：

DRAM的總產(chǎn)出，以256Mb為例，從8月的五億六千八百七十四萬增加到9月的六億兩千七百七十九萬。我們認(rèn)為韓國、歐洲和日本供應(yīng)商的12寸晶圓產(chǎn)能擴(kuò)大和90奈米制程生產(chǎn)為DRAM產(chǎn)出增長的主要原因。

DDR2產(chǎn)出，以256Mb為例，從8月的一億九千二百六十萬增加到9月的兩億三千八百八十萬。與8月的33.66%相比，9月占全球DRAM的總產(chǎn)出比例增長到37.83%。9月，三星、英飛凌、爾必達(dá)和南亞DDR2的產(chǎn)出都超過了DDR，結(jié)果，這些公司體驗(yàn)到了比預(yù)期還要低的DDR2需求帶來的巨大壓力。