上周二所公布的的9月下旬DRAM合約價(jià)全面走跌，其中256Mb及512Mb DDR顆粒合約價(jià)下滑3%，而512Mb DDR2顆粒則下滑近5%，整體表現(xiàn)依舊呈現(xiàn)弱勢狀態(tài)，這是因?yàn)槭袌錾显酒诖?月份返校潮買氣似乎消失了，再加上中國大陸十一長假效應(yīng)也不見貿(mào)易商大量補(bǔ)貨，因此才會導(dǎo)致沒有DRAM合約價(jià)的火花難以點(diǎn)燃，若以現(xiàn)階段各家業(yè)者（ProMOS、Powerchip..等）新增產(chǎn)能陸續(xù)開出下，短時(shí)間內(nèi)DRAM價(jià)格恐怕是難有驚人表現(xiàn)，只能期待年底圣誕節(jié)買氣激勵市場動能。

DDR 256Mb 32x8 400MHz 的現(xiàn)貨價(jià)漲幅0.78%，9/27 以US$2.5收盤，而DDR 512Mb 32Mx8 的價(jià)格則是下跌至US$5.65跌幅1.05%。DDR2 512Mb 533Mhz 及eTT DDR 的價(jià)格則是持平狀態(tài)。

展望本周，由于上周二所開出的合約價(jià)影響著市場，再加上9月底季底作帳壓力，可以預(yù)料本周市場DRAM價(jià)格走勢不會太過樂觀，不過現(xiàn)貨市場目前看來，似乎仍舊想辦法要將價(jià)格守在一定價(jià)位區(qū)間內(nèi)，其原因應(yīng)是仍期待十一長假需求能在最后關(guān)頭傾巢而出。

至于NAND Flash部分，上周所開出來的合約價(jià)，8Gb的價(jià)格呈現(xiàn)上漲，而4Gb在連跌7個月之后，首度出現(xiàn)反彈，幅度約為3%，至于2Gb及1Gb則是持平，很明顯地iPod nano所帶動起來的需求，造成高容量NAND Flash貨源部分短缺，導(dǎo)致價(jià)格上漲，但是低容量的NAND Flash卻因?yàn)樾录尤氲墓?yīng)者（Micron）產(chǎn)能開出，因此雖然市場上依舊有需求，但是沒有辦法帶動價(jià)格上揚(yáng)。

8Gb NAND Flash 在上周成長的幅度大約為6.35%，9/27 以US$50.05 收盤。4Gb 的現(xiàn)貨價(jià)以US$23.64收盤，漲幅1.11%。而2Gb及1Gb 的價(jià)格 則是分別下跌3.74% 及 0.14%。

至于本周的NAND Flash價(jià)格部分，高容量的NAND Flash價(jià)格逐步上揚(yáng)不成問題，但是低容量的NAND Flash，在三星電子（Samsung）的價(jià)格下滑壓力下，將讓其它業(yè)者價(jià)格受到壓縮，上漲空間有限。今天市場上傳出上海力士（Hynix）為了不讓三星電子獨(dú)霸高容量NAND Flash市場，海力士可說是快馬加鞭，將于10月正式推出旗下第一顆8GB的NAND型Flash產(chǎn)品，雖然說不是由單顆8Gb所組成，而是利用4Gb堆棧而成，但對于4Gb NAND Flash而言，會產(chǎn)生一定幅度缺口，但是對于8Gb NAND Flash，就必須要視蘋果計(jì)算機(jī)（Apple）未來幾個月iPod nano銷售量才能夠知道供需變化為何。