在耶誕假期過后，在DRAM現(xiàn)貨市場上的交易變的比圣誕節(jié)前清淡。再由12月的二次合約定價的狀況來看，12月的需求的確轉(zhuǎn)弱，然而部份DRAM廠提前在11月底賣出12月份的產(chǎn)出及部份廠商增加庫存的影響下，我們認(rèn)為DRAM廠企圖減少供給以維持目前的價格，另一方面，買方也注意到目前的現(xiàn)象，也決定等待更低的價格而非買進(jìn)更多的芯片。但因為上星期有圣誕節(jié)前的急單及DRAM廠出貨減少的狀況影響下，DRAM報價維持相當(dāng)穩(wěn)定，256 Mb (32Mb*8) 400MHz和333MHz的均價分別維持在4.05和4.06美元之間和3.82美元?？偠灾?，在策略性庫存及需求減弱的情況下，下一周現(xiàn)貨價格應(yīng)可維持穩(wěn)定或小幅下滑狀態(tài)，但元月上半月合約價則預(yù)估會進(jìn)一步下滑。

在SDRAM市場上，目前低容量SDRAM現(xiàn)貨價還是使得廠商持續(xù)虧損中，特別是對那些IC設(shè)計公司而言。因為買方并無要積極買進(jìn)芯片的動機(jī)特別是在年度終結(jié)的下一周，所以我們目前仍未看到下星期會價格反彈的任何訊號。另一方面，SDRAM公司在下一周也不會在這賠錢的價格下傾倒芯片。因此，我們認(rèn)為現(xiàn)貨價會呈現(xiàn)穩(wěn)定或小跌格局而明年第一次合約價則可能維持與12月下半月相同的報價。

在NAND Flash現(xiàn)貨市場中，上星期部分NAND Flash制造商釋出芯片但需求呈現(xiàn)冷清的狀態(tài)下，2G NAND Flash的平均價由12月21日的17.34美金下滑到12月27日的16.58美金。因為最近Micron和Hynix陸續(xù)推出2G NAND Flash產(chǎn)品，我們預(yù)測Samsung未來會使用策略性降價來降低競爭者的市場占有率及獲利。我們可以預(yù)見2G NAND Flash在2005年將會非常競爭，所以2G NAND Flash價格目前可說也仍未觸底。