2022-12-13
近日，第68屆IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM,國際電子器件大會(huì))在美國舊金山召開。IEEE IEDM是一個(gè)年度微電子...
2022-12-09
近期，北京銘鎵半導(dǎo)體使用導(dǎo)模法成功制備了高質(zhì)量4英寸（001）主面氧化鎵（β-Ga2O3）單晶...
2022-08-30
近期，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、周弘教授等在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件研究方面取得重要進(jìn)展...
2022-08-04
據(jù)北京順義消息， 8月1日，順義科創(chuàng)集團(tuán)與北京銘鎵半導(dǎo)體簽訂承租合同，將騰退的989平方米老廠房變身為氧化鎵配套實(shí)驗(yàn)室...
2022-05-27
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院龍世兵教授課題組分別進(jìn)行了研究，并在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展...
2022-05-12
據(jù)“浙大杭州科創(chuàng)中心”消息，該中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院發(fā)明了全新的熔體法技術(shù)路線來研制氧化鎵體塊單晶以及晶圓，目前已經(jīng)成功制備直徑2英寸...
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