近期，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊張進(jìn)成教授、周弘教授等在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件研究方面取得重要進(jìn)展。

據(jù)西安電子科技大學(xué)介紹，郝躍院士團(tuán)隊研制出一種新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)二極管。該結(jié)構(gòu)通過異質(zhì)結(jié)空穴超注入效應(yīng)，實現(xiàn)了兼具超高耐壓和極低導(dǎo)通電阻的氧化鎵功率二極管，功率優(yōu)值高達(dá)13.2GW/cm2，是截止目前氧化鎵半導(dǎo)體器件的最高值。

氧化鎵（β-Ga2O3）是超寬禁帶半導(dǎo)體的典型代表，禁帶寬度高達(dá)（~4.8 eV），臨界擊穿場強(qiáng)高達(dá)（~8 MV/cm），是研制高耐壓、大功率和高效節(jié)能半導(dǎo)體器件的理想半導(dǎo)體材料之一，可實現(xiàn)高擊穿、低功耗和低成本器件芯片三重優(yōu)勢，在電力傳輸轉(zhuǎn)換、電動汽車、高鐵等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用前景。

與當(dāng)前產(chǎn)業(yè)界火熱的第三代半導(dǎo)體GaN和SiC相比，Ga2O3功率器件在相同耐壓情況下具有更低的導(dǎo)通電阻，應(yīng)用于電能轉(zhuǎn)換領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更低的功耗和更高的轉(zhuǎn)換效率。因此，近年來，氧化鎵半導(dǎo)體已成為半導(dǎo)體國際研究熱點和大國技術(shù)競爭制高點。

西安電子科技大學(xué)研究團(tuán)隊通過一系列技術(shù)創(chuàng)新實現(xiàn)了氧化鎵功率二極管和功率晶體管性能的高速提升，使我國氧化鎵功率器件研究水平進(jìn)入國際前列。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)