賓夕法尼亞州利哈伊谷，2025 年 10 月 16 日 ——iDEAL Semiconductor 宣布推出其 SuperQ™ 150V MOSFET 系列，該系列現(xiàn)已量產(chǎn)，并提供多種業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝的樣品。

這款新器件延續(xù)了 iDEAL SuperQ 架構(gòu)的性能領(lǐng)先優(yōu)勢，實現(xiàn)了導(dǎo)通電阻（RDS (on)）的創(chuàng)紀(jì)錄低值，同時保留了硅材料在成本、可制造性和可靠性方面的優(yōu)勢。

SuperQ 150V 系列包含多款性能優(yōu)化器件，其中包括：

型號 iS15M7R1S1C，導(dǎo)通電阻最大值為 6.4 毫歐，采用緊湊型 PDFN 5×6 毫米封裝。
型號 iS15M2R5S1T 系列，導(dǎo)通電阻最大值為 2.5 毫歐，提供 TOLL、D2PAK-7L 和 TOLT 封裝。
iS15M2R5S1T 擁有業(yè)界頂尖的低電阻特性，比次優(yōu)競爭對手低 36%。

其他版本也已開放樣品申請，包括：

導(dǎo)通電阻 5.5 毫歐的 MOSFET，采用 PDFN 5×6 毫米封裝。
導(dǎo)通電阻 8.8 毫歐的 MOSFET，提供 TO-220 和 PDFN 5×6 毫米兩種版本。

該系列的目標(biāo)應(yīng)用包括電機驅(qū)動、電池保護電路、人工智能服務(wù)器和開關(guān)模式電源。這些市場均對超低傳導(dǎo)損耗、高可靠性和可擴展的硅制造工藝有明確需求。

iDEAL Semiconductor 首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人馬克?格拉納漢（Mark Granahan）表示：“我們的 150V SuperQ MOSFET 重新定義了硅材料的性能極限，實現(xiàn)了此前被認(rèn)為無法達(dá)成的技術(shù)突破。” 他補充道：“我們依托硅材料久經(jīng)考驗的可靠性、可制造性和成本優(yōu)勢，打造出高性能產(chǎn)品。這些器件為工業(yè)、汽車和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用開辟了全新的設(shè)計可能。”

所有 SuperQ 150V 器件均采用即插即用的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括 TOLL、TOLT、D2PAK-7L、TO-220 和 PDFN 5×6 毫米。

該新系列將加入 iDEAL 已量產(chǎn)的 200V SuperQ 產(chǎn)品線，同時公司正在開發(fā) 250V 至 650V 平臺，以將硅材料的應(yīng)用范圍拓展至更高電壓領(lǐng)域。

關(guān)于 iDEAL Semiconductor

iDEAL Semiconductor Devices, Inc. 是業(yè)界領(lǐng)先的下一代硅功率器件開發(fā)商。公司的使命是推動硅材料突破其公認(rèn)的性能極限。其專利 SuperQ 技術(shù)基于傳統(tǒng) CMOS 工藝，實現(xiàn)了突破性的能效提升，同時未放棄硅材料經(jīng)過驗證的核心優(yōu)勢。該平臺技術(shù)適用于廣泛的產(chǎn)品、應(yīng)用場景和半導(dǎo)體材料，專為降低各類應(yīng)用中的功率損耗而設(shè)計，將為下一代產(chǎn)品帶來更綠色的能源使用方式。iDEAL 總部位于賓夕法尼亞州利哈伊谷，如需了解更多信息，請訪問 www.idealsemi.com。

媒體聯(lián)系人
Emma Jenkins 

Grand Bridges

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