賓夕法尼亞州里海谷，2025年8月28日 – iDEAL半導體宣布，其200 V SuperQ™ MOSFET系列中的首款產(chǎn)品已進入量產(chǎn)階段，另外四款200 V器件現(xiàn)已提供樣品。

SuperQ是硅MOSFET技術(shù)在超過25年來的首次重大進步，突破了長期存在的開關(guān)和導通限制。它在性能和效率方面實現(xiàn)了階躍式提升，同時保留了硅的核心優(yōu)勢：堅固性、高產(chǎn)量制造能力，以及在175 °C下的可靠表現(xiàn)。

首款進入量產(chǎn)的200 V器件是iS20M028S1P，這是一款25 mΩ的MOSFET，采用TO-220封裝。iDEAL的最低電阻200 V器件現(xiàn)已在TOLL和D²PAK-7L封裝中提供樣品，其最大RDS(on)僅為5.5 mΩ。這樹立了新的性能基準，其電阻比當前市場領(lǐng)先者低1.2倍，比次佳競爭對手低1.7倍。

“通過將SuperQ擴展到200 V，iDEAL證明了硅創(chuàng)新遠未結(jié)束，”iDEAL半導體首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人Mark Granahan表示。“這些結(jié)果表明，我們可以在保持硅的可制造性、可靠性和成本優(yōu)勢的同時，提供最低電阻和卓越的開關(guān)性能。這是我們公司以及希望推動效率進步的客戶的一個重大里程碑。”

200 V SuperQ系列的目標應(yīng)用包括電機驅(qū)動、LED照明、電池保護、AI服務(wù)器、隔離DC/DC電源模塊、USB-PD適配器和太陽能。隨著器件進入生產(chǎn)階段并提供行業(yè)領(lǐng)先的樣品，iDEAL正在加速與高增長功率市場客戶的合作。

有關(guān)詳細規(guī)格和可用部件編號的完整列表，包括5.5 mΩ樣品器件，請訪問www.idealsemi.com。

關(guān)于iDEAL半導體

iDEAL Semiconductor Devices, Inc.是一家行業(yè)領(lǐng)先的下一代硅功率器件開發(fā)商。

公司成立的使命是將硅推向其感知極限。其專利SuperQ技術(shù)使用常規(guī)CMOS工藝實現(xiàn)突破性能效，而不偏離硅的可靠優(yōu)勢。
該平臺技術(shù)適用于廣泛的產(chǎn)品、應(yīng)用和半導體材料，專為減輕每個應(yīng)用的功率損耗而設(shè)計，并將為下一代提供更環(huán)保的能源使用。

iDEAL總部位于賓夕法尼亞州里海谷，更多信息請訪問idealsemi.com。