近日，由香港科技大學霍英東研究院與香港科技大學（廣州）聯合孵化的“拓諾稀科技”迎來里程碑時刻——其位于南沙的首個先進生產廠房正式啟用！該廠房配備高標準潔凈室設施和完善的生產研發(fā)配套，具備批量化外延制備能力，實現 “從實驗室走向產業(yè)”，為大規(guī)模推進氧化鎵外延產品走向市場奠定了堅實基礎。

拓諾稀科技生產廠房位于粵港澳大灣區(qū)“黃金內灣”廣州南沙，占地約500平方米，集研發(fā)、測試、制造、工藝支持于一體。設有MOCVD工藝區(qū)和離子注入室、專用的氣體儲存間、固廢處理間，全面保障高科技產品制造的穩(wěn)定與安全。

氧化鎵（Ga?O?）作為一種具有超寬禁帶的半導體材料，在高壓功率電子、射頻通訊、光電探測等領域展現出巨大的應用潛力。由香港科技大學（廣州）陳子強教授與其博士生共同創(chuàng)立的拓諾稀科技，聚焦于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導體器件的開發(fā)，是全球獨家通過MOCVD工藝實現了穩(wěn)定p型導電氧化鎵外延層的企業(yè)，填補了氧化鎵材料體系中長期缺失的p型導電空白。