國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海瞻芯電子科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“碳化硅LDMOS結(jié)構(gòu)的形成方法、碳化硅LDMOS結(jié)構(gòu)及碳化硅LDMOS器件”的專利，公開(kāi)號(hào)CN 119277803 A，申請(qǐng)日期為2024年10月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)公開(kāi)了一種碳化硅LDMOS的結(jié)構(gòu)及其形成方法，包括：形成第一阱區(qū)域；形成第二阱區(qū)域，第二阱區(qū)域與第一阱區(qū)域部分重疊，并且第二阱區(qū)域的注入深度小于第一阱區(qū)域的入深度；成第三區(qū)域，第三區(qū)域包含于第一阱區(qū)域中，且與第二阱區(qū)域部分重疊，并且第三區(qū)域的注入深度小于第二阱區(qū)域的注入深度；在第二阱區(qū)域的表面制作源極區(qū)域，其中，源極區(qū)域包括N+區(qū)域和P+區(qū)域，并且源極區(qū)域與第一阱區(qū)域部分重疊；在第三區(qū)域的表面制作漏極區(qū)域；在源極區(qū)域和第三區(qū)域之間的表面制作柵極區(qū)域，并形成柵極、源極、漏極的電極。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，通過(guò)此方法得到的期間具有高耐壓、尺寸小的特點(diǎn)，且制造工藝簡(jiǎn)單，有利于提高成品的良品率。