近日，半導(dǎo)體大廠德州儀器 (TI)宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。

隨著會津工廠投產(chǎn)，加上其位于德克薩斯州達(dá)拉斯的現(xiàn)有GaN制造工廠，德州儀器的GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)能將提升至原來的四倍。

德州儀器技術(shù)和制造高級副總裁Mohammad Yunus表示：“德州儀器已成功認(rèn)證了8英寸（200mm）氮化鎵技術(shù)，并開始在日本會津工廠進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。”Mohammad Yunus進(jìn)一步指出，到2030年，德州儀器內(nèi)部氮化鎵制造率將增長到95%以上，同時(shí)還可以從多個(gè)德州儀器工廠采購，確保公司整個(gè)氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的供應(yīng)。”

作為硅的替代材料，氮化鎵在能效、開關(guān)速度、電源解決方案的尺寸和重量、整體系統(tǒng)成本以及高溫高壓條件下的性能等方面都具有優(yōu)勢。GaN芯片可提供更高的功率密度，或在更小的空間內(nèi)提供功率，從而實(shí)現(xiàn)筆記本電腦和手機(jī)的電源適配器等應(yīng)用，或用于供暖和空調(diào)系統(tǒng)和家用電器的更小、更節(jié)能的電機(jī)。

近年來，隨著消費(fèi)電子持續(xù)發(fā)展，加上服務(wù)器、AI、工業(yè)、太陽能等產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，氮化鎵已在消費(fèi)電子（如電源適配器）和工業(yè)如數(shù)據(jù)中心電源和太陽能逆變器已得到廣泛采用。

有觀點(diǎn)認(rèn)為，氮化鎵功率芯片將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。業(yè)界估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40%的能源浪費(fèi)，相當(dāng)于節(jié)省了100兆瓦時(shí)太陽能和1.25億噸二氧化碳排放量。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)