9月20日，長(zhǎng)光華芯先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子平臺(tái)項(xiàng)目正式封頂。

長(zhǎng)光華芯先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目于2023年開工，預(yù)計(jì)2025年建成并全面投產(chǎn)，總占地面積約31畝，含生產(chǎn)中心、研發(fā)中心、動(dòng)力站及配套設(shè)施，旨在建設(shè)國(guó)內(nèi)一流的半導(dǎo)體激光芯片研發(fā)及生產(chǎn)平臺(tái)，打造基于多種化合物半導(dǎo)體的光電與電子器件的材料、工藝以及封裝技術(shù)開發(fā)的先進(jìn)器件研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化平臺(tái)。

長(zhǎng)光華芯表示，本次項(xiàng)目封頂標(biāo)志著長(zhǎng)光華芯在多種化合物半導(dǎo)體光電芯片、器件等方面的產(chǎn)能、研發(fā)水平、橫向擴(kuò)展和縱向延伸能力都將邁上新臺(tái)階。橫向覆蓋從可見光、近紅外、中波、長(zhǎng)波多波段激光芯片和硅光集成芯片，縱向延伸從激光顯示、工業(yè)激光、光通訊、激光傳感到生命科學(xué)與健康等主流應(yīng)用和未來(lái)產(chǎn)業(yè)。

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)