7月24日，三安半導體宣布，芯片二廠M6B設備入場。這標志著三安碳化硅（SiC）項目二期通線在即，將為全面加速8英寸SiC產業(yè)布局，實現(xiàn)產線正式投產奠定良好基礎。

據(jù)三安半導體介紹，湖南三安SiC項目總投資高達160億人民幣，旨在打造6英寸/8英寸兼容SiC全產業(yè)鏈垂直整合量產平臺。項目達產后，將具備年產36萬片6英寸SiC晶圓、48萬片8英寸SiC晶圓的制造能力。預計到今年12月，M6B將實現(xiàn)點亮通線，8英寸SiC芯片將正式投產，湖南三安半導體正式轉型為8英寸SiC垂直整合制造商。

重慶三安意法SiC項目總規(guī)劃投資約300億元人民幣，項目達產后將建成全國首條8英寸SiC襯底和晶圓制造線，具備年產48萬片8英寸SiC襯底、車規(guī)級MOSFET功率芯片的制造能力，預計營收將達170億人民幣。

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