5月28日，青島佳恩半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“佳恩半導(dǎo)體”）與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島舉行。

佳恩半導(dǎo)體表示，此次簽約儀式雙方就共同研究開展GAN（氮化鎵）功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與特性仿真，獲得器件優(yōu)化結(jié)構(gòu)及參數(shù)，基于氮化鎵器件制造平臺(tái)開展器件核心工藝實(shí)驗(yàn)研究、工藝參數(shù)優(yōu)化及器件樣品研制，針對(duì)氮化鎵功率器件特點(diǎn)，開展器件仿真研究，揭示器件特性與結(jié)構(gòu)的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，開展氮化鎵功率器件的柵結(jié)構(gòu)及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究，

資料顯示，青島佳恩半導(dǎo)體有限公司一直致力于高端半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、開發(fā)、制造及銷售，作為新一代的功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，佳恩掌握著創(chuàng)新型功率半導(dǎo)體核心技術(shù)，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和自主品牌。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)