近日，化合物半導體動態(tài)頻頻，國家標準GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》正式對外發(fā)布，并將于今年年末開始實施。另外晶升股份研發(fā)出液相法碳化硅晶體生長設備，多家碳化硅企業(yè)完成新一輪融資，多個碳化硅項目迎來最新進展。

8英寸企業(yè)集結，國家標準《碳化硅外延片》半年后實施

根據(jù)全國標準信息公共服務平臺官網(wǎng)消息，國家標準GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》已于2024年4月25日正式對外發(fā)布，并將于2024年11月1日開始實施。該標準的起草單位囊括了業(yè)內(nèi)多家具備8英寸碳化硅技術的企業(yè)，包括天岳先進、爍科晶體、天科合達、科友半導體、乾晶半導體、湖南三安半導體等。

對于國家標準GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》的意義，2023年11月30日，中國電科指出，《碳化硅外延片》國家標準確定了碳化硅外延片的質量技術細節(jié)，規(guī)范和統(tǒng)一了具體的技術性能項目和指標。該標準及時填補了國內(nèi)半導體材料領域產(chǎn)品標準的空白，對碳化硅外延片生產(chǎn)工藝、質量控制、采購及銷售管理都有重要的指導作用。

晶升股份研發(fā)出液相法碳化硅SiC晶體生長設備

近日，晶升股份液相法SiC晶體生長設備研究取得新進展，已成功研發(fā)出液相法SiC晶體生長設備并提供給了多家客戶，將會繼續(xù)配合客戶不斷進行設備的優(yōu)化和改進工作。

目前， PVT生長工藝是國內(nèi)廠商生長SiC晶體的主流方法，液相法生長技術則處于研究和開發(fā)階段。關于液相法SiC晶體生長設備，晶升股份提前開展了相關布局并已經(jīng)在2023年提供樣機給多家客戶，隨后晶升股份協(xié)同客戶不斷進行優(yōu)化和改進，進一步提升晶體的品質與良率。

此前，晶升股份8英寸SiC長晶設備已實現(xiàn)批量出貨,其中包含PVT感應加熱/電阻加熱單晶爐、TSSG單晶爐等類別產(chǎn)品，下游應用完整覆蓋主流導電型/半絕緣型SiC晶體生長及襯底制備。

2023年，晶升股份業(yè)績表現(xiàn)良好，實現(xiàn)營收4.06億元，同比增長82.70%；歸母凈利潤0.71億元，同比增長105.63%；歸母扣非凈利潤0.42億元，同比增長86.64%。

北一半導體完成B+輪融資

5月8日，北一半導體官微宣布，他們成功完成了B+輪融資。目前由上海吾同私募基金管理有限公司領投的1億元資金已經(jīng)到位，另有5000萬元投資金額在結尾工作中，預計本輪融資總額將達到1.5億元。

消息顯示，該輪融資資金主要用于北一半導體SiC MOSFET技術的進一步研發(fā)，以及產(chǎn)線的升級與擴建。一方面，通過加大研發(fā)投入，加快技術創(chuàng)新的步伐，提升SiC MOS的性能指標和生產(chǎn)效率；另一方面，通過產(chǎn)線的升級與擴建，提高生產(chǎn)規(guī)模，滿足市場需求，推動SiC MOS的產(chǎn)業(yè)化進程。

天眼查顯示，北一半導體成立于2017年，專注于Si基、SiC基功率半導體芯片及模塊研發(fā)、模塊生產(chǎn)、銷售。此前，北一半導體已完成兩輪融資，其中B輪融資金額也超1.5億元，融資資金主要用于加速公司產(chǎn)線擴建、產(chǎn)品研發(fā)、團隊擴建以及市場拓展等。

昕感科技再添戰(zhàn)略股東，6英寸功率半導體制造項目今年投產(chǎn)

5月11日，昕感科技官宣完成京能集團旗下北京京能能源科技并購投資基金戰(zhàn)略入股。

據(jù)悉，昕感科技聚焦于第三代半導體SiC功率器件和功率模塊的技術突破創(chuàng)新與產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)。昕感科技SiC MOSFET累計出貨客戶百余家，產(chǎn)品可廣泛應用于光伏儲能、新能源汽車、工業(yè)控制等領域。

昕感科技官方消息指出，公司是國內(nèi)為數(shù)不多可進行6英寸晶圓特色工藝生產(chǎn)的IDM廠商。昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數(shù)十款SiC器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導通電阻規(guī)格，模塊產(chǎn)品對標EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。

今年1月30日，昕感科技6英寸功率半導體制造項目封頂活動在江蘇江陰高新區(qū)舉行。該項目自2023年8月8日啟動，總計投資超10億元。據(jù)人民網(wǎng)4月29日報道，江蘇昕感科技有限責任公司6英寸功率半導體制造基地近日進入采購設備和調(diào)試階段。這片廠房的主體結構已于今年初全面封頂，計劃年底前正式投產(chǎn)。

季華恒一完成A輪融資

5月12日，季華恒一（佛山）半導體科技有限公司宣布，他們于近日完成了A輪融資。本次投資由優(yōu)山資本領投，季華璀璨（佛山）投資有限公司跟投。

公開資料顯示，季華恒一脫胎國內(nèi)知名的科研機構季華實驗室，成立于2021年6月，公司專注于寬禁帶半導體和新能源領域的半導體裝備產(chǎn)業(yè)化，著力于開發(fā)滿足高良率、穩(wěn)定生產(chǎn)需求的SiC高溫外延生長系統(tǒng)等等。

值得一提的是，去年5月，季華恒一自主研發(fā)的高溫離子注入設備交付客戶，可兼容4至8英寸碳化硅晶片的離子注入工藝；同年12月碳化硅激光退火設備再次交付新訂單。

明年7月將投產(chǎn)，長飛先進200億元武漢基地首棟建筑封頂

據(jù)中國光谷5月10日消息，日前，長飛先進武漢基地項目首棟宿舍樓提前封頂。這標志著，該項目進入投產(chǎn)倒計時，預計于今年6月全面封頂，明年7月投產(chǎn)。

消息稱，長飛先進武漢基地項目位于武漢新城中心片區(qū)，由長飛先進半導體（武漢）有限公司出資建設，總投資預計超過200億元。項目主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，應用范圍廣泛覆蓋新能源汽車、光伏儲能、充電樁、電力電網(wǎng)等領域，致力于打造全智能化的碳化硅器件制造標桿工廠。項目建成后，將成為國內(nèi)最大的碳化硅功率半導體制造基地。

該項目由中建一局承建，占地面積約22.94萬平方米，建筑面積約30.15萬平方米，主要建設內(nèi)容包括芯片廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設施等，建設周期為578日歷天。項目達產(chǎn)后，預計可年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊。

江蘇天科合達碳化硅晶片二期擴產(chǎn)項目預計6月投產(chǎn)

據(jù)金龍湖發(fā)布消息，目前，江蘇天科合達碳化硅晶片二期擴產(chǎn)項目機電安裝工作已進入后期收尾階段。

相關負責人表示，后續(xù)重要工作將是吊頂完成，各系統(tǒng)的追位、調(diào)試，以及生產(chǎn)輔助用房建設和地面硬化等，力保6月前完成調(diào)試，6月3日順利竣工交付。

金龍湖發(fā)布消息顯示，天科合達二期項目作為省級重大產(chǎn)業(yè)項目，總投資8.3億元，建筑面積約5萬平方米，包括標準化廠房、?；瘞?、固體庫等設施。計劃購置安裝單晶生長爐及配套設備合計647臺（套），新建碳化硅晶片襯底制備生產(chǎn)線，達產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)碳化硅襯底16萬片。此次二期擴產(chǎn)項目投產(chǎn)后，天科合達徐州基地碳化硅晶片年產(chǎn)能將達到23萬片、年產(chǎn)值10億元以上。

資料顯示，江蘇天科合達是北京天科合達全資子公司。北京天科合達是國內(nèi)首家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅襯底及相關產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家級高新技術企業(yè)。

三安半導體SiC項目二期計劃Q3投產(chǎn)

5月9日，據(jù)湖南三安半導體消息，湖南三安半導體董事長林志東近日作為中國半導體企業(yè)代表應邀參加了中法企業(yè)家委員會第六次會議。

在法期間，林志東介紹了湖南三安SiC項目最新進展。據(jù)介紹，位于湖南湘江新區(qū)的湖南三安半導體責任有限公司，2020年落戶長沙，僅用一年時間就點火試產(chǎn)。目前，一期已經(jīng)全線投產(chǎn)，目前SiC年產(chǎn)能已達到25萬片（6英寸）。二期正在建設中，將全部導入8英寸生產(chǎn)設備和工藝，計劃今年三季度投產(chǎn)。整個項目達產(chǎn)后將實現(xiàn)總計年產(chǎn)48萬片的規(guī)模。

據(jù)悉，該項目作為國內(nèi)首個、世界第三個SiC全產(chǎn)業(yè)鏈整合研發(fā)與制造項目，總投資160億元，規(guī)劃用地面積約1000畝，主要建設具有自主知識產(chǎn)權，以SiC、GaN等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地，業(yè)務涵蓋襯底材料、外延生長、晶圓制造及封裝測試等環(huán)節(jié)。該項目一期于2020年7月破土動工，2021年6月23日正式投產(chǎn)，并于同年11月量產(chǎn)下線SiC SBD全系列產(chǎn)品。2022年7月，該項目二期工程開工。

產(chǎn)品方面，湖南三安的SiC系列產(chǎn)品主要面向工業(yè)級和車規(guī)級應用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列產(chǎn)品，已廣泛應用于光伏逆變器、充電樁、電源以及新能源汽車等領域并形成批量出貨，累計出貨量超2億顆；SiC MOSFET方面，湖南三安已推出針對新能源汽車主驅的1200V 16mΩ車規(guī)級產(chǎn)品，目前正在數(shù)家戰(zhàn)略客戶進行模塊驗證；湖南三安還推出了針對光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重點客戶批量導入。

此外，湖南三安今年4月在第十八屆北京國際車展上展示了1200V 8mΩ SiC MOSFET，這款產(chǎn)品是湖南三安目前1200V電壓平臺最小導通電阻、最大額定電流產(chǎn)品。

合作方面，湖南三安與維諦技術于3月28日宣布達成戰(zhàn)略合作伙伴關系，雙方將共同推動數(shù)據(jù)中心、通信網(wǎng)絡等領域的創(chuàng)新與發(fā)展?；诖耍先睸iC業(yè)務有望向數(shù)據(jù)中心、通信等領域加速滲透。

河南中宜創(chuàng)芯500噸碳化硅半導體粉體生產(chǎn)線成功達產(chǎn)

近日，河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司（以下簡稱“中宜創(chuàng)芯”）SiC半導體粉體500噸生產(chǎn)線成功達產(chǎn)，產(chǎn)品純度最高達到99.99999%，已在國內(nèi)二十多家企業(yè)和研究機構開展試用和驗證。

資料顯示，中宜創(chuàng)芯成立于2023年5月24日，由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資集團共同出資設立，總投資20億元，分期建設年產(chǎn)2000噸碳化硅半導體粉體生產(chǎn)線。項目一期總投資6億元，年產(chǎn)能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開工建設，9月20日項目建成并試生產(chǎn)，9月30日首批產(chǎn)品出爐。預計達產(chǎn)后年產(chǎn)值5億元，

據(jù)悉，2023年國慶期間，經(jīng)權威機構檢測，中宜創(chuàng)芯首爐SiC粉體產(chǎn)品純度為99.99996%，達到國內(nèi)優(yōu)等品標準。10月17日該項目一期試生產(chǎn)結束，第一批設備全部投料完成，標志著中宜創(chuàng)芯SiC粉體開始進入批量生產(chǎn)階段。歷時三個月，該項目一期從開工進入到試生產(chǎn)階段，再經(jīng)過半年時間，項目又完成從試產(chǎn)到達產(chǎn)轉變，在建設進度方面進展較快。與此同時，SiC粉體產(chǎn)品純度不斷提升，已由99.99996%進一步提高到99.99999%。

目前，中宜創(chuàng)芯SiC粉體產(chǎn)品正在被國內(nèi)多家企業(yè)和研究機構試用和驗證，在一定程度上顯示了該產(chǎn)品市場認可度較高，也為中宜創(chuàng)芯SiC粉體后續(xù)擴產(chǎn)項目順利進行起到了一定的推動作用。

此外，技術研發(fā)方面，中宜創(chuàng)芯已與浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心簽訂合作框架協(xié)議發(fā)揮雙方優(yōu)勢，共同開展碳化硅半導體粉體行業(yè)標準制定、科技創(chuàng)新、成果轉化、平臺建設、人才培養(yǎng)等方面的合作，努力創(chuàng)造出更多成果。

年產(chǎn)40萬片國內(nèi)碳化硅襯底擴產(chǎn)

在電動汽車、可再生能源和工業(yè)自動化等應用的推動下，碳化硅的市場需求量不斷增加。而在碳化硅的主要成本中，襯底環(huán)節(jié)成本大于外延環(huán)節(jié)和制備環(huán)節(jié)等。從成本與市場的角度來看，碳化硅襯底成本降低40%，碳化硅市場規(guī)模將提升4倍。從供給與需求側來看，2025年全球襯底需求量將超過300W片，而2022年全球碳化硅襯底產(chǎn)能僅為60~80萬片，產(chǎn)能缺口達5倍左右，國內(nèi)外企業(yè)等紛紛著力擴產(chǎn)。

近日，江西罡豐科技有限公司公示了其年產(chǎn)40萬片第三代半導體襯底外延建設項目（一期）的相關內(nèi)容，該項目的主要建設內(nèi)容包括碳化硅半導體襯底生產(chǎn)線的建設以及相關配套廠房設施的完善。項目一期工程預計建成后將具備年產(chǎn)40萬片第三代半導體襯底外延的能力。

江西罡豐科技有限公司表示，此次投資是為了滿足市場對高性能半導體襯底材料的需求，同時也將推動公司在半導體領域的技術創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級。該項目的實施，不僅將提升公司的核心競爭力，還將為我國的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新的活力。

10億！源芯微電子年產(chǎn)20億只車規(guī)級芯片智造項目簽約

5月9日，“南太湖發(fā)布”官微披露，浙江湖州南太湖新區(qū)管理委員會和安徽源芯微電子有限責任公司（以下簡稱源芯微電子）舉行源芯微電子年產(chǎn)20億只車規(guī)級芯片智造項目簽約儀式。

據(jù)悉，此次簽約落地的年產(chǎn)20億只車規(guī)級芯片智造基地和SiC車規(guī)級芯片研究院項目總投資10億元，分兩期建設，全部達產(chǎn)后年產(chǎn)值約18億元。

源芯微電子從事高端半導體芯片設計研發(fā)、封裝測試、成品銷售，其主要產(chǎn)品是半導體集成電路芯片，廣泛應用于家電、PC/手機平板、無線快充、移動電源充電樁、智能家居、穿戴設備、綠色照明、健康醫(yī)療等行業(yè)及新能源等領域。

近年來，源芯微電子持續(xù)加大功率半導體產(chǎn)業(yè)布局。2021年12月，蕪湖高新區(qū)（弋江區(qū)）舉行重大項目集中簽約、開工活動，其中就包括源芯微電子先進功率半導體基地項目。

據(jù)報道，源芯微電子先進功率半導體基地項目總投資10億元，專注于半導體功率器件設計、生產(chǎn)與銷售。項目達產(chǎn)后年產(chǎn)能將達到100億只功率器件、IC芯片。

2021年10月，源芯微電子完成A輪融資，投資方包括錫創(chuàng)投、金投致源、弋江區(qū)政府投資基金。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)