據(jù)中國光谷5月10日消息，日前，長飛先進武漢基地項目首棟宿舍樓提前封頂。這標志著，該項目進入投產(chǎn)倒計時，預計于今年6月全面封頂，明年7月投產(chǎn)。

消息稱，長飛先進武漢基地項目位于武漢新城中心片區(qū)，由長飛先進半導體（武漢）有限公司出資建設(shè)，總投資預計超過200億元。項目主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，應(yīng)用范圍廣泛覆蓋新能源汽車、光伏儲能、充電樁、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域，致力于打造全智能化的碳化硅器件制造標桿工廠。項目建成后，將成為國內(nèi)最大的碳化硅功率半導體制造基地。

該項目由中建一局承建，占地面積約22.94萬平方米，建筑面積約30.15萬平方米，主要建設(shè)內(nèi)容包括芯片廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等，建設(shè)周期為578日歷天。項目達產(chǎn)后，預計可年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊。

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